PDTA143ZQAZ 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。这款晶体管专门设计用于高频率开关应用,具有低饱和电压、快速开关速度和高可靠性等优点。PDTA143ZQAZ 采用 SOT-563 封装,体积小巧,适用于空间受限的设计。该器件广泛应用于便携式电子产品、电源管理电路、DC-DC 转换器、LED 驱动器以及各种消费类电子设备中。由于其高可靠性和优异的电气性能,PDTA143ZQAZ 成为许多现代电子系统中的关键组件。
类型:NPN 型晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):50V
集电极-基极电压(VCBO):50V
发射极-基极电压(VEBO):5V
最大集电极电流(IC):100mA
功耗(PD):200mW
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-563
增益带宽积(fT):250MHz
电流增益(hFE):110-800(根据等级不同)
PDTA143ZQAZ 晶体管具备多项优异的电气和物理特性,适用于高频开关和低功耗应用。
首先,该晶体管具有快速开关特性,其增益带宽积(fT)高达 250MHz,适合用于高频放大和开关电路。这使得它在射频(RF)和数字电路中表现优异。
其次,PDTA143ZQAZ 的电流增益(hFE)范围较宽,从 110 到 800,具体数值取决于器件等级。这种宽增益范围使其能够灵活适应不同电路设计需求,包括小信号放大和开关控制。
此外,该晶体管的饱和电压较低,有助于降低功耗并提高电路效率。这对于电池供电设备和低功耗系统尤为重要。
在封装方面,PDTA143ZQAZ 采用 SOT-563 小型封装,体积小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用。这种封装也提供了良好的热性能,确保在较高工作电流下仍能保持稳定运行。
该晶体管还具有良好的温度稳定性,工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适用于多种工业和消费类应用场景。其高可靠性和稳定性也使其成为汽车电子和便携式设备中的理想选择。
最后,PDTA143ZQAZ 符合 RoHS 环保标准,无铅封装,符合现代电子制造的环保要求。
PDTA143ZQAZ 晶体管因其优异的性能和小型封装,广泛应用于多个电子领域。
在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,PDTA143ZQAZ 用于电源管理、信号放大和开关控制。其低功耗和高效率特性使其成为电池供电设备的理想选择。
在 DC-DC 转换器和 LED 驱动电路中,该晶体管用于高效能开关应用,帮助提高能量转换效率并减小电路体积。
在通信设备中,如无线模块、蓝牙设备和射频前端电路,PDTA143ZQAZ 的高频特性使其适用于信号放大和调制电路。
此外,该晶体管也常用于传感器接口电路、逻辑电平转换以及微控制器的输入/输出驱动电路。
在工业自动化和消费类电子产品中,PDTA143ZQAZ 可用于继电器驱动、电机控制和小型电源开关应用。
由于其高可靠性和宽工作温度范围,该晶体管也适用于汽车电子系统,如车载娱乐系统、仪表盘控制模块和车载充电电路。
PDTA143EZ, 2N3904, BC847, 2N2222, MMBT3904