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PDTA123JMB,315 发布时间 时间:2025/9/13 22:44:30 查看 阅读:5

PDTA123JMB,315 是由 Nexperia(安世半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的晶体管。该器件采用 SOT-23(SC-59)封装,适用于各种通用开关和放大应用。该晶体管具有较高的可靠性,并且具有较小的封装体积,适用于空间受限的电路设计。PDTA123JMB,315 在设计上集成了一个内部基极-发射极电阻,使得其在某些应用中可以减少外部元件数量,提高电路的集成度和稳定性。

参数

类型: NPN 双极型晶体管
  最大集电极电流(Ic): 100mA
  最大集电极-发射极电压(Vceo): 50V
  最大集电极-基极电压(Vcbo): 50V
  最大基极电流(Ib): 5mA
  最大功耗(Ptot): 300mW
  电流增益(hFE): 最小 110(在 Ic=2mA, Vce=5V)
  工作温度范围: -55°C 至 150°C
  封装类型: SOT-23(SC-59)

特性

PDTA123JMB,315 具备多个显著的电气和物理特性,使其在多种电子电路中具有广泛的应用能力。首先,该晶体管的 NPN 结构提供了良好的电流放大性能,适用于小信号放大和数字开关应用。其 hFE(电流增益)在典型工作条件下可达到110以上,确保了良好的信号增益特性。
  其次,该器件采用了 SOT-23 封装,这种封装形式不仅体积小巧,而且具备良好的热稳定性和机械强度,适合用于高密度 PCB 设计。此外,PDTA123JMB,315 集成了一个内部基极-发射极电阻(通常为10kΩ和47kΩ的分压电阻),这一特性使得晶体管在使用过程中可以减少外部偏置电阻的使用,从而简化电路设计,提高系统的可靠性。
  该晶体管的最大集电极电流为100mA,集电极-发射极电压为50V,能够在中等功率应用中稳定工作。其最大功耗为300mW,适用于电池供电设备和低功耗系统。此外,该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,可在较宽的环境温度范围内保持稳定性能,适用于工业和汽车电子等对环境适应性要求较高的场景。

应用

PDTA123JMB,315 广泛应用于多个领域,包括但不限于以下几种主要应用场景:首先,在数字电路中,该晶体管常用于作为开关元件,例如控制 LED、继电器、小型电机等负载。其集成的基极电阻允许直接通过微控制器或逻辑门电路进行驱动,从而简化了外围电路设计。
  其次,在模拟电路中,PDTA123JMB,315 可用于构建放大器,如音频前置放大器、传感器信号调理电路等。由于其具有较高的电流增益和良好的线性度,因此在低频模拟信号放大中表现优异。
  此外,该晶体管也常用于电源管理和负载控制电路中,例如 DC-DC 转换器、电池充电电路和电源开关模块。其良好的热稳定性和紧凑的封装结构使其成为便携式电子设备中的理想选择。
  最后,由于其宽温度范围和高可靠性,PDTA123JMB,315 还被广泛应用于汽车电子、工业控制和通信设备等领域,如汽车照明控制、传感器接口电路、远程信息处理系统等。

替代型号

BC847, 2N3904, PN2222, MMBT3904

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PDTA123JMB,315参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.28676卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)47 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 10mA,5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)100mV @ 250μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)1μA
  • 频率 - 跃迁180 MHz
  • 功率 - 最大值250 mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳3-XFDFN
  • 供应商器件封装DFN1006B-3