PDTA115ET 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。这款晶体管广泛应用于通用开关和放大电路中,适用于各种中低功率电子设备。PDTA115ET 采用 SOT-23 封装,具有体积小、功耗低、响应速度快等优点,非常适合用于便携式电子产品和自动化控制系统。
类型:NPN 双极型晶体管
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):50 V
最大集电极-基极电压(Vcb):50 V
最大功耗(Ptot):300 mW
最大工作温度:150 °C
封装类型:SOT-23
增益(hFE):110 至 800(根据工作电流和型号后缀不同)
过渡频率(fT):100 MHz
PDTA115ET 晶体管具有多种优良的电气特性,使其适用于广泛的电子电路设计。首先,其较高的过渡频率(fT)达到 100 MHz,使其在中高频放大电路中表现出色。其次,该晶体管的 hFE(电流增益)范围较广,依据工作条件的不同,可以在 110 到 800 之间变化,提供良好的放大性能。此外,SOT-23 小型封装不仅节省空间,还具备良好的热性能,适合在高密度 PCB 设计中使用。
该器件的集电极-发射极电压(Vce)和集电极-基极电压(Vcb)均为 50 V,具备较高的耐压能力,适用于多种电源管理应用。其最大集电极电流为 100 mA,适用于中低功率开关和信号放大。PDTA115ET 的最大功耗为 300 mW,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行,最高可达 150°C,具备良好的热稳定性。
此外,该晶体管具有较低的饱和压降(Vce_sat),在开关应用中可减少能量损耗,提高电路效率。其快速的开关响应时间也使其适用于数字逻辑电路和脉冲调制应用。
PDTA115ET 主要用于需要中低功率放大的场合,常见于数字开关电路、LED驱动、继电器控制、音频放大器和传感器接口电路等应用。在工业自动化系统中,该晶体管常用于控制继电器、小型电机和指示灯的开关操作。在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和智能手表,PDTA115ET 可用于电源管理、信号放大和电平转换电路。
在通信设备中,PDTA115ET 适用于射频(RF)前端放大器、调制解调器和信号转换模块。其高频特性使其在无线通信系统中可用于低噪声放大和信号处理。此外,在汽车电子系统中,该晶体管可用于车载传感器、ECU(电子控制单元)和车载娱乐系统的信号控制。
由于其封装小巧,PDTA115ET 也广泛用于便携式设备的电源管理电路,如电池充电控制、DC-DC 转换器和LED背光驱动电路。
MMBT3904LT1G, BC847B, 2N3904, PN2222A