时间：2025/9/13 22:42:07
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PDTA114TMB,315 是一款由 Diodes 公司制造的双极性晶体管（BJT），具体属于 NPN 型晶体管。该器件设计用于高频率和高增益应用场景，具有良好的开关特性和低噪声性能。该晶体管采用 SOT-23 封装，适用于便携式电子设备和高频放大电路等应用。
类型：NPN 晶体管
集电极-发射极电压（Vce）：100V
集电极电流（Ic）：100mA
最大功耗（Pd）：300mW
过渡频率（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据不同档位）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
PDTA114TMB,315 拥有优异的高频性能，适用于射频（RF）和中频（IF）放大电路。其过渡频率（fT）高达 100MHz，使得该晶体管在高频应用中能够保持较高的增益稳定性。此外，该晶体管具有宽泛的电流增益范围（hFE），可根据具体需求选择不同的增益档位（例如 O、Y、GR、BL、SL 等），从而满足不同电路设计的需要。
该器件采用 SOT-23 小型封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合在空间受限的便携式设备中使用。其最大集电极电流为 100mA，集电极-发射极击穿电压高达 100V，具备较高的耐压能力，适用于中等功率的开关和放大应用。
此外，PDTA114TMB,315 的低噪声系数使其在音频放大、信号处理和传感器接口电路中表现出色。该晶体管的工作温度范围广泛，支持从 -55°C 到 +150°C 的工业级应用，确保其在各种环境条件下的稳定运行。
PDTA114TMB,315 主要用于以下领域：高频放大器、射频前端模块、中频放大电路、音频放大器、信号调理电路、传感器接口、开关电路以及低噪声前置放大器等。由于其优异的高频特性和紧凑的 SOT-23 封装，它特别适合用于无线通信设备、便携式电子产品、工业控制电路和消费类电子设备中的信号处理与放大环节。
BC847B, 2N3904, PN2222A
