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PDTA113ZM,315 发布时间 时间:2025/9/14 0:05:08 查看 阅读:15

PDTA113ZM,315 是一款由Nexperia(原飞利浦半导体部门)生产的双极性晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。该器件采用SOT-23(TO-236)小型封装,适用于便携式电子设备和中低功率应用。该晶体管具有较高的电流增益和良好的热稳定性,适合用于信号放大和开关控制等场景。其设计注重功耗和性能之间的平衡,因此广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制电路中。

参数

晶体管类型:PNP
  最大集电极-发射极电压(Vce):50V
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大功率耗散(Ptot):300mW
  电流增益(hFE):110 至 800(取决于测试条件)
  封装类型:SOT-23(TO-236)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  频率响应:100MHz(典型值)

特性

PDTA113ZM,315 具备多项关键特性,使其在众多通用晶体管中脱颖而出。首先,其采用SOT-23封装,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,尤其适合空间受限的应用场景。其次,晶体管的最大集电极-发射极电压为50V,最大集电极电流为100mA,能够满足中低功率的信号放大和开关需求。此外,该晶体管的hFE(电流增益)范围较宽,从110到800不等,这使其适用于多种放大电路配置,并可根据具体需求选择不同增益等级的器件。
  该晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于各种工业和消费类应用。同时,其最大功率耗散为300mW,能够在不牺牲性能的前提下保持较低的功耗。此外,PDTA113ZM,315具有100MHz的典型频率响应,适用于高频信号处理和放大应用,如射频前端电路或数字开关电路。
  由于其高稳定性和通用性,PDTA113ZM,315在制造过程中采用了标准的制造工艺,确保了良好的批次一致性,从而提高了电路设计的可靠性和生产良率。

应用

PDTA113ZM,315 常用于各种电子系统中,包括但不限于以下应用场景:
  1. **信号放大**:作为小信号放大器中的关键元件,用于音频、射频和传感器信号的放大处理。
  2. **数字开关**:在数字电路中作为开关元件,用于驱动LED、继电器、小型马达或其他低功耗负载。
  3. **电源管理**:用于低功耗电源控制电路中,如DC-DC转换器、电池充放电管理电路等。
  4. **接口电路**:用于不同电压或电流等级之间的信号转换和隔离。
  5. **消费类电子产品**:广泛应用于手机、平板电脑、穿戴设备、智能家居控制器等便携式设备中。
  6. **工业控制**:在PLC、传感器模块、自动化设备中作为控制和信号处理元件。

替代型号

BC807-25, BC817-25, 2N3906, MMBT3906, PN2907

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PDTA113ZM,315参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)1k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)35 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-101,SOT-883
  • 供应商设备封装SOT-883
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934058824315PDTA113ZM T/RPDTA113ZM T/R-ND