PDT508 时间：2025/7/22 15:27:23 阅读：6

PDT508 是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换和开关应用设计，具有低导通电阻、高耐压和大电流能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及各种高功率电子系统。PDT508采用高性能硅工艺制造，确保在高频率和高负载条件下稳定运行。其封装形式通常为TO-252（DPAK）或类似的小型表面贴装封装，便于在紧凑型电路板设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤8.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

PDT508的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。此外，该MOSFET具有高电流处理能力，能够在大电流负载下稳定工作，适用于要求苛刻的工业和汽车应用。
　　该器件还具备良好的热稳定性，其封装设计优化了散热性能，确保在高温环境下仍能保持可靠性。PDT508的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V或12V驱动电路，使其能够兼容多种栅极驱动IC。
　　此外，PDT508在高频开关应用中表现出色，具有快速的开关速度和低门极电荷（Qg），从而降低了开关损耗，提高了整体系统效率。这种特性使其特别适合用于同步整流、高效DC-DC降压或升压转换器等应用。
　　器件的封装形式为表面贴装型（如TO-252），便于自动化生产并提高电路板的空间利用率。同时，PDT508符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。