类型：双串联肖特基二极管
　　配置：中心抽头整流
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：50 V
　　平均整流电流（IO）：5 A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：60 A
　　正向压降（VF）：典型值0.54 V（在5 A, TJ=125°C条件下）
　　最大正向压降（VF(max)）：0.62 V（在5 A, TJ=125°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大5 μA（在50 V, TJ=125°C条件下）
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：InSOP-28D
　　热阻结到外壳（RθJC）：1.2 °C/W

PDS5100H的核心优势在于其独特的硅堆叠（Silicon Stacked Die）架构与InSOP-28D封装的结合，实现了传统肖特基二极管难以达到的高压耐受能力与低导通损耗之间的平衡。传统的单片肖特基二极管受限于金属-半导体势垒高度，在高电压下反向漏电流急剧上升，导致温升严重并限制了实际可用电压等级。PDS5100H通过将两个经过精确匹配的肖特基芯片串联堆叠，使每个芯片仅承受一半的总反向电压，从而有效抑制了漏电流的增长趋势，使其可在50 V额定电压下长期可靠运行。这种设计不仅提高了器件的电压裕度，还增强了在瞬态过压或负载突变情况下的鲁棒性。
　　另一个关键特性是其极低的正向压降表现。在典型工作条件（5 A, 125°C）下，VF仅为0.54 V，相较于同类产品普遍在0.65 V以上的表现具有明显优势。这意味着在相同电流下功耗减少约20%，直接转化为更低的工作温度和更高的系统效率。这对于紧凑型电源尤为重要，因为热量积聚会加速元件老化并影响周边敏感电路的稳定性。得益于InSOP-28D封装的大面积铜引线框架设计，PDS5100H具备出色的散热能力，RθJC低至1.2°C/W，远优于标准SO-8或DPAK封装的水平。这使得即使在满载连续运行状态下，也能通过PCB自然传导有效散热，避免使用额外散热装置。
　　此外，PDS5100H具有优异的抗热循环疲劳性能和机械可靠性。其封装采用模塑化合物保护内部连线，防止湿气侵入和物理损伤，同时引脚共面性良好，兼容自动化贴片生产线。器件内部金线键合工艺经过优化，能够承受多次温度循环而不发生断裂。所有材料均符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，并通过了严格的MSL3级潮湿敏感度认证，适用于无铅回流焊接流程。综合来看，PDS5100H凭借其高性能、高可靠性和绿色环保特性，成为现代高效小功率电源系统中理想的同步整流替代方案之一。

PDS5100H主要应用于各类中小功率AC-DC开关电源系统中，尤其适用于基于反激拓扑结构的离线式电源设计。常见用途包括智能手机、平板电脑、超极本和其他便携式电子设备的USB-PD或多口快充适配器，这些设备对体积、效率和温升控制有极高要求。由于其低VF和高效率特性，PDS5100H能够显著提升低压大电流输出（如5 V/3 A 或 9 V/2 A）时的转换效率，帮助制造商满足全球日益严格的能源法规，例如美国DoE Level VI和欧盟CoC V5 Tier 2标准。
　　在消费类电子产品领域，该器件广泛用于LCD电视、显示器、机顶盒、路由器和智能家居网关的内置或外置电源模块中。在这些应用场景中，PDS5100H不仅能提高整机能效，还能降低EMI噪声输出，从而减少输入滤波元件的数量和成本。此外，其高耐压能力和良好的瞬态响应特性也使其适用于工业控制系统的辅助电源、PLC模块和传感器供电单元，在恶劣环境条件下保持稳定运行。
　　值得一提的是，PDS5100H常作为Power Integrations自家InnoSwitch3-Pro、InnoSwitch4-Pro等系列主控IC的配套整流器件使用，构成完整的高集成度电源解决方案。在这种组合中，主控IC提供精准的同步整流驱动信号，而PDS5100H则负责高效能量传递，二者协同工作可实现高达94%以上的峰值效率，并大幅降低空载功耗至低于30 mW的水平，充分体现了先进数字电源管理与高性能功率器件融合的技术优势。

PDS5100H