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PDN6912S 发布时间 时间:2025/6/30 18:34:14 查看 阅读:5

PDN6912S 是一款高性能的 N 治道场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及其他需要低导通电阻和快速开关特性的电路中。该器件采用先进的制造工艺,具有出色的电气性能和可靠性。
  PDN6912S 的封装形式通常为 SO-8 或 DPAK,能够提供高电流承载能力和良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:27nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

PDN6912S 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流应用中降低功耗。
  2. 快速的开关特性,适合高频应用环境。
  3. 高击穿电压设计,确保在高压条件下的稳定运行。
  4. 小型封装设计,有助于节省电路板空间。
  5. 优异的热性能,能够在高温环境下保持高效运行。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

PDN6912S 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源中的同步整流电路。
  2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. 各种电机驱动和逆变器应用。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 消费电子产品的充电管理电路。

替代型号

IRF6912, FDN6912A

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