时间：2025/5/26 21:04:50
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PDH50H20 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于多种电源管理应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和快速开关特性，能够显著提高效率并减少功率损耗。其出色的性能使其在消费电子、工业控制以及汽车电子领域中得到广泛应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：2mΩ
栅极电荷：38nC
反向恢复时间：45ns
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
PDH50H20 具有低导通电阻，可有效降低功耗并提升系统效率。
其快速开关特性使得它非常适合高频开关应用。
器件的高电流承载能力和宽温度范围，确保了其在各种环境下的可靠性。
此外，PDH50H20 的紧凑封装设计有助于节省电路板空间，便于小型化设计。
该产品还具有良好的热稳定性和抗静电能力，进一步增强了其鲁棒性。
PDH50H20 主要用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
在消费类电子产品中，它可用于笔记本电脑适配器、智能手机充电器和 LED 驱动器。
工业领域中，PDH50H20 可作为工业自动化设备中的功率开关或保护元件。
同时，由于其高可靠性和耐高温性能，在电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统中也有潜在应用。
IRF540N
STP55NF06L
FDP55N06L
