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PDC55N12X 发布时间 时间:2025/6/4 3:03:31 查看 阅读:8

PDC55N12X是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频条件下提供高效的功率转换。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,适合用于需要快速切换和低损耗的应用场景。其封装形式通常为TO-220或TO-252,具体取决于制造商的规格。

参数

最大漏源电压:120V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:55A
  导通电阻:3.5mΩ
  总功耗:140W
  结温范围:-55℃至175℃

特性

PDC55N12X具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少传导损耗。
  2. 高开关速度,支持高频应用,降低开关损耗。
  3. 良好的热稳定性,适用于恶劣的工作环境。
  4. 内置反向恢复二极管,优化了电路性能并减少了EMI(电磁干扰)。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特性使得PDC55N12X在众多功率转换和电机控制应用中表现出色。

应用

PDC55N12X广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. 电机驱动和逆变器设计,包括工业自动化设备和家用电器。
  3. DC-DC转换器,如汽车电子系统和通信电源模块。
  4. UPS(不间断电源)系统中的关键功率元件。
  5. 其他需要高效功率转换和快速响应的应用场景。
  由于其卓越的性能和可靠性,PDC55N12X成为许多工程师在功率管理设计中的首选器件。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP55N12
  IXTN56N12P4

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