时间:2025/12/26 2:02:14
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PD3340NTR82是一款由Diodes Incorporated生产的高性能、低电压、低功耗的CMOS型光电耦合器(Optocoupler),广泛应用于需要电气隔离的信号传输场合。该器件集成了一个高效率的砷化镓(GaAs)红外发光二极管(IR LED)和一个集成在硅基上的光敏NPN达林顿晶体管探测器,采用表面贴装的SOP-4封装形式,适合自动化贴片生产。PD3340NTR82具有优异的电流传输比(CTR)、快速响应时间以及良好的温度稳定性,能够在宽温度范围内稳定工作。其设计目标是实现输入与输出之间的高电气隔离,有效防止噪声干扰、地环路问题以及高压对低压控制电路的损害,因此被广泛用于工业控制、电源管理、通信接口隔离等领域。由于其小型化封装和高可靠性,该器件特别适用于空间受限且对长期稳定性要求较高的应用环境。
型号:PD3340NTR82
制造商:Diodes Incorporated
封装/包装:SOP-4
通道数:1
隔离电压(Viso):5000VRMS
正向电流(IF):60mA
集电极电流(IC):100mA
最大功耗(Pd):150mW
工作温度范围:-55°C ~ 110°C
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
反向电压(VR):6V
集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):30V
发射极-集电极击穿电压(V(BR)EBO):5V
输入-输出绝缘电阻(RIO):10^8 Ω @ 500V
输入-输出电容(CIO):1.5pF
响应时间(上升/下降):4μs / 3μs
电流传输比(CTR):80% ~ 600% @ IF=5mA, VCE=5V
PD3340NTR82具备出色的电流传输比(CTR)性能,在标准测试条件下(IF = 5mA,VCE = 5V),其典型CTR值可达80%至600%,这使得它能够在较低的输入驱动电流下实现高效的信号传递,从而显著降低系统功耗并提高能效。这一特性尤其适用于微控制器I/O口直接驱动的应用场景,无需额外的驱动电路即可完成有效的电平转换与隔离功能。
该器件采用达林顿结构的光敏晶体管输出,具有极高的电流增益,能够驱动相对较大的负载电流,最高可达100mA,满足多数继电器、逻辑门、ADC或MCU输入端的驱动需求。同时,其集电极-发射极饱和电压较低,有助于减少导通损耗,提升整体系统的效率。此外,PD3340NTR82的响应时间较快,典型上升时间为4μs,下降时间为3μs,支持中高速数字信号的隔离传输,适用于PWM控制、开关电源反馈回路以及工业现场总线通信等对响应速度有一定要求的应用。
该光电耦合器提供高达5000VRMS的输入-输出隔离电压,确保在高压环境下仍能安全运行,有效保护低压侧控制电路免受浪涌、瞬态电压或接地故障的影响。其内部绝缘材料符合UL、CSA、VDE等多项国际安全认证标准,适用于工业级和消费类双重应用场景。SOP-4小型表面贴装封装不仅节省PCB空间,还便于自动化生产和回流焊工艺,提升了制造效率和产品一致性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+110°C,可在恶劣环境条件下保持稳定性能,适用于汽车电子、工业自动化、医疗设备等多种严苛应用领域。
PD3340NTR82常用于各类需要电气隔离的电子系统中,典型应用包括开关模式电源(SMPS)中的反馈控制电路,用于将次级侧的电压调节信号安全地传递到初级侧PWM控制器,实现闭环稳压的同时保持高低压之间的隔离。在工业自动化控制系统中,该器件可用于PLC输入/输出模块的信号隔离,防止现场传感器或执行器引入的电磁干扰影响核心控制单元。此外,它也广泛应用于微处理器系统中的串行通信接口隔离,如RS-232、RS-485或CAN总线系统,以消除地电位差引起的通信错误和设备损坏风险。
在电机驱动和逆变器系统中,PD3340NTR82可用于隔离控制信号与功率桥臂驱动电路,保障主控芯片的安全。其高CTR特性使其特别适合用于低功耗嵌入式系统中,例如智能电表、物联网终端设备和电池管理系统(BMS),在这些系统中,电源资源有限,需尽可能降低驱动功耗。此外,该器件还可用于医疗电子设备中的信号隔离,满足医疗安全标准对患者保护的要求。在交流电源控制方面,它可以作为固态继电器(SSR)的核心元件,实现无触点开关控制,延长使用寿命并减少维护成本。总之,PD3340NTR82凭借其高可靠性、小尺寸和优良的电气性能,成为现代电子系统中实现安全隔离的关键组件之一。
EL3H7(TA)-G
TLP291(F,TPL,E