型号：PD3316MT1R8
　　类型：肖特基势垒二极管
　　拓扑结构：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：18V
　　最大直流阻断电压 VR：18V
　　平均整流电流 IO (每芯片)：3A
　　峰值正向浪涌电流 IFSM：50A
　　正向压降 VF @ 3A：0.47V（典型值），0.55V（最大值）
　　反向漏电流 IR @ 18V, 25°C：0.1mA（最大值）
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围 TSTG：-55°C 至 +150°C
　　封装/包：PowerDI5060-2L
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS, Green, 无卤素（Halogen-free）

PD3316MT1R8具有优异的电学性能和热稳定性，其核心优势在于低正向压降与高电流承载能力的结合。该器件采用先进的肖特基势垒技术，在3A电流下正向压降仅为0.47V（典型值），最高不超过0.55V，显著低于传统PN结二极管，从而大幅减少导通损耗，提高电源转换效率。这对于电池供电设备或高密度电源模块尤为重要，有助于延长续航时间并降低散热需求。同时，由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少子存储效应，因此具备极快的开关速度和几乎为零的反向恢复时间（trr），可有效抑制高频工作时的开关噪声和能量损耗，特别适用于频率高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC变换器中作为输出整流或续流元件。
　　该器件采用双共阴极结构，两个独立的肖特基芯片共享一个阴极连接端，这种设计简化了PCB布局布线，尤其适合双路输出或多相整流的应用场景，例如双通道Buck转换器或交错式拓扑结构。PowerDI5060-2L封装具有较大的焊盘面积和优良的热传导路径，能够将内部产生的热量迅速传递至PCB，实现高效散热，确保长时间大电流运行下的可靠性。实测数据显示，在标准JEDEC测试条件下，其热阻RθJA约为40°C/W，远优于同类SOD/D-PAK封装产品。
　　Panjit在制造过程中严格控制金属接触层均匀性与硅片质量，确保器件具有稳定的电气参数和长期可靠性。PD3316MT1R8通过了高温反偏（HTRB）、温度循环（TC）、高压蒸煮（PCT）等多项可靠性测试，具备出色的抗湿热能力和寿命稳定性。此外，其无铅镀层和绿色环保材料满足现代电子产品对环保法规的要求，可用于汽车电子、通信设备、工业控制及消费类电源等多种领域。整体而言，这款二极管在性能、尺寸、效率和合规性方面均达到了较高水平，是低压大电流整流应用的理想替代方案。

PD3316MT1R8广泛应用于各类需要高效低压整流的电源系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的次级整流，尤其是在12V或5V输出的AC-DC适配器中用作同步整流的替代器件以提升效率；在DC-DC降压（Buck）转换器中作为续流二极管或输出整流二极管，利用其低VF特性减少功耗并提高能效；也可用于电池充电管理电路中的防反接与反向电流阻断功能，保障系统的安全性。此外，该器件适用于分布式电源架构中的中间母线转换器（IBC）、点负载转换器（POL）等场合，支持高频率工作模式下的稳定运行。由于其具备良好的热性能和紧凑的表面贴装封装，非常适合空间受限的便携式电子设备，如笔记本电脑、平板电源、网络路由器、LED驱动电源以及智能家居控制模块。在工业控制领域，常用于PLC电源模块、传感器供电单元及电机驱动板上的电压钳位与能量回馈回路。其高浪涌电流承受能力（50A）也使其能够在存在瞬态过流风险的环境中可靠工作，例如热插拔电路或启动冲击较大的负载系统。总体来看，PD3316MT1R8凭借其优异的综合性能，成为现代高效节能电源设计中不可或缺的关键元件之一。

SS34HE3_A/H
　　SD340-E32
　　MBRS340T3G
　　SK34