类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤8.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：130W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

PD2321I/1CK MOSFET 具备多项优异特性，适用于高性能功率电子系统。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的RDS(on)值在VGS=10V时仅为8.5mΩ，使其在高电流应用中表现尤为出色。其次，该MOSFET具有高电流承载能力，额定连续漏极电流为100A，适合用于高功率密度设计。此外，其最大漏源电压为30V，适用于中低压功率转换应用，如电源管理、马达驱动和电池供电系统。
　　PD2321I/1CK采用了先进的封装技术，即PowerFLAT 5x6封装，具备良好的热管理和散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。该封装还具备较小的占板面积，适合用于空间受限的PCB设计。此外，该器件的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的栅极驱动器电路，确保了其在各种应用中的广泛适用性。
　　从热性能角度来看，该MOSFET的功耗为130W，在适当的散热设计下可以支持较高的连续工作电流。其工作温度范围为-55°C至175°C，表现出良好的耐高温能力和宽泛的环境适应性，适用于工业级和汽车电子应用环境。此外，该器件具备较强的抗雪崩能力和过载保护能力，有助于提升系统整体的稳定性与安全性。

PD2321I/1CK 主要应用于需要高效率、高电流和低导通损耗的功率电子系统。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和电源管理模块。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器等应用。此外，该MOSFET还可用于工业自动化设备、UPS不间断电源系统以及高功率LED照明驱动电路中。由于其优异的导通性能和热稳定性，PD2321I/1CK非常适合用于需要高可靠性和高性能的电源管理系统。

STL100N3LLH5AGU、IPD90N03S4-03、IRF1010EZ、FDMS86180、FDMS86101S