类型：碳化硅（SiC）肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压：200V
　　最大平均正向电流：1A
　　正向电压（典型值）：1.5V @ 1A
　　反向漏电流（最大值）：100μA @ 200V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

PD1B200V9C 的主要特性之一是其基于碳化硅（SiC）技术的材料优势，这使得该器件能够在高温环境下保持稳定运行，并且具有优异的热导率。
　　此外，SiC 肖特基二极管几乎不存在反向恢复损耗，这对于提高高频应用的效率至关重要。
　　其正向电压降相对较低（典型值为1.5V），有助于减少功率损耗，同时降低热管理需求，提高系统的整体可靠性。
　　该器件的封装设计也优化了散热性能，确保在高电流工作条件下仍能维持较低的温度上升，从而延长器件的使用寿命。
　　PD1B200V9C 还具备出色的浪涌电流耐受能力，能够承受短时间内的过载电流，这在实际应用中提高了系统的鲁棒性。

PD1B200V9C 主要应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子系统。例如，在工业电源中，该器件可用于提高转换效率并减少热量产生。
　　在太阳能逆变器中，PD1B200V9C 可用于优化能量转换效率，从而提高太阳能系统的整体性能。
　　此外，该器件也非常适合用于电动汽车的充电系统和车载电源系统，因为其高耐压和高可靠性能够满足严苛的汽车电子环境要求。
　　其他应用还包括不间断电源（UPS）、电能质量设备以及各种高频率开关电源拓扑，如升压（Boost）和降压（Buck）转换器。

C3D02060A, SiC440, SCT3040KW7AGMP, PD1B200V9C-E