时间：2025/4/29 18:33:48
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PCS3P73Z21BWG-08-CR 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体工艺制造。该芯片主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用中，能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。
此型号具有低导通电阻和高开关速度的特点，可显著降低功率损耗并提升系统效率。
类型：N沟道 MOSFET
封装形式：WLCSP (晶圆级芯片尺寸封装)
最大漏源电压(Vdss)：73V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：21A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：2.5W
工作温度范围(Top)：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷(Qg)：30nC（典型值）
反向恢复时间(trr)：35ns（典型值）
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 高开关速度设计，支持高频开关应用，降低开关损耗。
3. 小型化的WLCSP封装，节省PCB空间，适合便携式设备及紧凑型设计。
4. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定运行。
5. 具备较强的雪崩能力和抗静电能力，提高系统的可靠性和耐用性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 各类电机驱动电路中的功率输出级。
4. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
5. 工业控制设备中的功率管理模块。
6. 快速充电器和其他消费类电子产品的高效功率转换解决方案。
PCS3P73Z21BNG-08-CR
IRF7739TRPBF
AO6604
FDP5500
