产品类型：射频功率电感器
　　电感值：1.0μH
　　容差：±10%
　　额定电流（Irms）：1.8A
　　饱和电流（Isat）：2.5A（典型值，下降30%）
　　直流电阻（DCR）：65mΩ 最大值
　　自谐振频率（SRF）：250MHz 最小值
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +155°C
　　封装尺寸：12.0mm x 12.0mm x 5.5mm（EIA 4832）
　　端接类型：表面贴装（SMD）
　　屏蔽类型：磁屏蔽结构
　　RoHS合规性：符合RoHS指令要求

PCDR1255MT100具有卓越的射频性能和高功率处理能力，适用于高频开关和射频功率放大电路中的关键储能与滤波功能。其核心优势在于采用先进的磁屏蔽结构设计，显著减少了外部磁场泄漏，降低了邻近元件间的电磁干扰，从而提升了整个射频系统的稳定性与信噪比。这种屏蔽特性使得该电感即使在密集布局的PCB环境中也能保持良好性能，特别适合用于5G通信基站、微波收发器和高密度射频模块。
　　该器件具备极低的直流电阻（DCR），最大仅为65mΩ，这直接降低了在大电流通过时的I2R功率损耗，提高了电源转换效率，并有助于控制温升，增强长期运行的可靠性。同时，高达2.5A的饱和电流和1.8A的温升电流表明其能够在持续高负载条件下稳定工作而不发生磁芯饱和，避免电感值骤降导致的电路失谐问题。
　　PCDR1255MT100的自谐振频率（SRF）最低可达250MHz，确保其在甚高频（VHF）至超高频（UHF）范围内仍能保持良好的电感特性，不会因接近或超过SRF而导致阻抗下降或相位偏移。这一特性对于射频匹配网络至关重要，可保证阻抗匹配精度和带宽一致性。
　　此外，该电感采用耐高温材料和坚固的一体成型工艺，具备优良的机械强度和热循环耐久性，能够承受回流焊过程中的高温冲击，并在恶劣工业环境下长期可靠运行。其符合RoHS标准，支持环保制造要求，适用于全球主流电子产品的合规需求。

PCDR1255MT100主要应用于需要高效率、高稳定性和低电磁干扰的射频与功率电路中。典型使用场景包括5G无线通信基站的射频功率放大器输出匹配网络，其中它作为LC滤波器的一部分，用于抑制谐波并优化输出阻抗匹配，提高发射效率与信号质量。此外，在Wi-Fi 6/6E接入点、毫米波通信模块以及小型蜂窝基站（Small Cell）中，该电感也常用于级间耦合和滤波电路，以确保高频信号的纯净传输。
　　在工业与电信电源系统中，PCDR1255MT100可用于DC-DC转换器的输出滤波环节，特别是在高电流、高频率操作模式下，其低DCR和高饱和特性有助于提升转换效率并减少发热。另外，在测试测量仪器、雷达系统和广播发射设备中，该电感因其稳定的电气参数和出色的温度稳定性而被广泛采用。
　　由于其优异的屏蔽性能和小型化设计，该器件也非常适合用于便携式高功率射频设备，如移动应急通信装置和军用无线电系统。总之，凡是涉及高频率、大电流且对EMI敏感的应用领域，PCDR1255MT100都是一种理想的选择。

MSS1278-102MLC
　　HPRI1206R100