产品系列：InnoSwitch?3-Pro
　　工作模式：准谐振反激（QR Flyback）
　　集成开关类型：GaN HEMT
　　开关电压：750 V
　　输出功率范围：最高约100 W
　　输入电压范围：85 VAC - 265 VAC（宽范围）
　　控制方式：初级侧PWM控制 + 次级同步整流驱动
　　反馈机制：FluxLink?磁感应数字反馈（无光耦）
　　工作频率：可变频率，最高可达130 kHz
　　封装类型：InSOP-24D
　　引脚数：24
　　保护功能：过温保护（OTP）、过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、短路保护（SCP）、输入UVLO/OVLO
　　待机功耗：< 30 mW
　　效率等级：符合CoC Tier 2和DoE Level VI能效标准

PCD0504MT180采用了Power Integrations独有的PowiGaN?技术，将氮化镓（GaN）功率晶体管集成于单芯片中，相比传统硅基MOSFET显著降低了导通电阻和开关损耗，从而实现更高的开关频率和更高的能量转换效率。这使得电源设计可以在更小的体积下实现更高功率密度，特别适用于追求小型化和高效能的快充适配器和便携式设备供电方案。得益于GaN器件的快速开关能力，该芯片能够在高频下稳定运行，减少变压器尺寸和整体BOM成本。同时，由于发热更低，散热设计也得以简化，有助于提升系统长期运行的可靠性和寿命。
　　InnoSwitch?3系列的核心优势之一是其高度集成的架构。PCD0504MT180不仅集成了高压GaNFET和初级控制器，还包含完整的次级侧同步整流驱动逻辑，并通过FluxLink?双向磁耦合通信技术实现初级与次级之间的精准反馈控制。这种无光耦设计消除了传统光耦老化导致的性能衰减问题，增强了系统的长期稳定性，并满足严苛的安全隔离要求（如IEC 60950/62368）。此外，芯片支持精确的恒压（CV）和恒流（CC）调节，适用于电池充电类应用，且可通过外部微控制器进行动态调整，例如实现USB Power Delivery（PD）协议中的可变电压输出（如5V、9V、15V、20V）。
　　该器件具备全面的保护机制，包括自动重启动模式下的过载、短路、过温及输入异常保护。当检测到故障时，系统会进入安全状态并尝试恢复，防止永久性损坏。内置的软启动功能有效抑制上电冲击电流，提升系统启动可靠性。此外，PCD0504MT180支持多种工作模式优化轻载效率，例如跳 cycle 模式和突发模式（burst mode），确保在整个负载范围内都保持高效率，尤其是在空载或待机状态下功耗极低（低于30mW），完全符合国际能效法规要求。其InSOP-24D封装结合底部裸露焊盘设计，提供优良的热传导路径，可在自然对流条件下有效散热，适用于密封式或无风扇设计的产品。

PCD0504MT180广泛应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的离线式开关电源系统。典型应用包括额定输出功率在65W至100W之间的USB Type-C单口或多口快充适配器，支持QC、PPS及USB PD 3.0等多种快充协议；工业与消费类智能设备的嵌入式电源模块，如智能音箱、路由器、IP摄像头和家庭网关等；家电中的辅助电源系统，例如洗衣机、空调和微波炉的控制板供电单元；医疗设备中要求低漏电流和高绝缘强度的小功率电源；以及LED照明驱动电源、POS终端、电子书阅读器和便携式测量仪器等。由于其出色的能效表现和宽输入电压适应能力，该芯片也非常适合用于全球通用输入的出口型电子产品电源设计，满足不同国家电网环境下的稳定运行需求。此外，在需要无风扇静音运行或空间受限的应用中，PCD0504MT180凭借其低发热和小型化优势展现出显著竞争力。

INN3370C