时间：2025/9/2 21:28:20
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PC908AS60ACFN 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件专为高功率、高频应用设计，广泛应用于电源转换、电机控制、逆变器和工业自动化等领域。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于高效能和高可靠性的系统设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：8A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.45Ω（最大0.55Ω）
栅极电荷(Qg)：27nC（典型）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
功率耗散(Pd)：83W
最大结温(Tj)：150°C
漏极电流峰值（Idm）：32A
PC908AS60ACFN 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其导通电阻非常低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET支持高达600V的漏源电压，适用于高压系统设计。此外，该器件的栅极电荷较低，可减少开关损耗，提高开关速度，从而提升整体性能。TO-220封装提供了良好的热管理和机械稳定性，确保在恶劣环境下的可靠运行。其高耐温能力（最高结温可达150°C）使得该器件能够在高温环境下稳定工作，适用于严苛的工业应用。最后，该MOSFET具有较强的短路耐受能力，增强了系统在异常情况下的稳定性。
PC908AS60ACFN 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS系统、工业自动化设备以及LED照明电源等。由于其高压耐受能力和低导通电阻，该器件特别适合用于DC-AC转换器、DC-DC转换器以及马达控制电路中。此外，在太阳能逆变器和电动车充电系统中，该MOSFET也常用于功率转换和控制模块。
STW8N60M2, FQA8N60C, IRFPC50
