PC908AS60ACFN 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的功率晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该器件专为高功率、高频应用设计,广泛应用于电源转换、电机控制、逆变器和工业自动化等领域。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性,适用于高效能和高可靠性的系统设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
连续漏极电流(Id):8A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.45Ω(最大0.55Ω)
栅极电荷(Qg):27nC(典型)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220
功率耗散(Pd):83W
最大结温(Tj):150°C
漏极电流峰值(Idm):32A
PC908AS60ACFN 具备多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其导通电阻非常低,有助于降低导通损耗,提高系统效率。其次,该MOSFET支持高达600V的漏源电压,适用于高压系统设计。此外,该器件的栅极电荷较低,可减少开关损耗,提高开关速度,从而提升整体性能。TO-220封装提供了良好的热管理和机械稳定性,确保在恶劣环境下的可靠运行。其高耐温能力(最高结温可达150°C)使得该器件能够在高温环境下稳定工作,适用于严苛的工业应用。最后,该MOSFET具有较强的短路耐受能力,增强了系统在异常情况下的稳定性。
PC908AS60ACFN 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。典型应用包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、逆变器、UPS系统、工业自动化设备以及LED照明电源等。由于其高压耐受能力和低导通电阻,该器件特别适合用于DC-AC转换器、DC-DC转换器以及马达控制电路中。此外,在太阳能逆变器和电动车充电系统中,该MOSFET也常用于功率转换和控制模块。
STW8N60M2, FQA8N60C, IRFPC50