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PC28F640J3F75B TR 发布时间 时间:2025/10/22 9:51:11 查看 阅读:25

PC28F640J3F75B TR是英特尔(Intel)推出的一款NOR型闪存芯片,广泛应用于需要高可靠性和快速读取性能的嵌入式系统中。该器件属于Intel StrataFlash?架构系列,采用堆叠式存储技术,能够在单个芯片内实现多层存储单元操作,从而提升存储密度并降低成本。该芯片封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适用于工业控制、网络设备、汽车电子以及通信基础设施等对数据持久性和稳定性要求较高的领域。PC28F640J3F75B TR具备64Mbit(即8MB)的存储容量,组织方式为8M x 8位或4M x 16位,支持异步接口模式,允许主机系统以随机访问方式高效读取数据。其工作电压范围通常在2.7V至3.6V之间,适合低功耗应用场景。此外,该器件内置了命令集控制系统,可通过标准写入指令执行块擦除、编程和查询操作,提升了系统级管理灵活性。TR后缀表明该型号采用卷带包装(Tape and Reel),便于自动化贴片生产流程,适合大规模SMT(表面贴装技术)应用。由于其出色的耐久性与数据保持能力,PC28F640J3F75B TR常被用于固件存储、BIOS保存、配置参数记录等关键任务场景。尽管Intel已逐步将重心转向新一代存储解决方案,并减少了部分传统闪存产品的新增供应,但该型号仍在众多存量设备中持续服役,并可通过授权分销渠道获取。

参数

品牌:Intel
  产品系列:StrataFlash? J3
  存储容量:64 Mbit
  组织结构:8M x 8 / 4M x 16
  工艺技术:0.25 μm
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  读取访问时间:75 ns
  封装类型:TSOP-56
  包装方式:TR(Tape & Reel)
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  接口类型:并行异步
  擦除电压:内部电荷泵生成
  编程电压:内部升压电路提供
  可靠性:典型数据保持期10年,擦写次数可达10万次

特性

PC28F640J3F3F75B TR的首要特性在于其基于Intel StrataFlash?架构的高性能NOR闪存技术,该技术通过创新的双平面存储设计实现了比传统NOR Flash更高的编程与擦除效率。每个存储阵列被划分为两个独立的平面(Plane),允许在对一个平面进行编程或擦除的同时,在另一个平面上执行读取操作,显著提升了整体吞吐量和系统响应速度,尤其适合实时操作系统(RTOS)或多任务环境中频繁切换读写操作的应用场景。
  其次,该芯片具备强大的错误管理机制和可靠的硬件保护功能。它支持按扇区(Sector)级别的细粒度擦除,共有64个可独立擦除的扇区,使得固件更新更加灵活且风险可控。同时,芯片内部集成有软件控制的数据锁存与写保护功能,防止意外写入或误擦除操作,保障关键代码的安全性。此外,其内置的命令寄存器支持多种标准JEDEC兼容指令集,包括自动选择、ID识别、块擦除暂停/恢复等功能,极大简化了主机端驱动开发难度。
  再者,PC28F640J3F75B TR在环境适应性方面表现优异,支持宽温工作范围(-40°C 至 +85°C),满足工业级和汽车级应用需求。其TSOP-56封装具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于振动较强或温差较大的恶劣运行环境。最后,得益于成熟的制造工艺和长期市场验证,该器件拥有高达10万次的典型擦写寿命和长达10年的数据保持能力,确保在生命周期内稳定可靠运行。这些综合特性使其成为高端嵌入式系统中首选的非易失性存储解决方案之一。

应用

PC28F640J3F75B TR主要应用于各类需要高可靠性、快速随机读取能力和长期数据保持的嵌入式系统中。首先,在网络通信设备领域,如路由器、交换机和基站控制器中,该芯片常被用作引导程序(Boot Code)的存储介质,因其具备快速启动能力和抗干扰性强的特点,能够确保设备每次上电都能准确加载操作系统内核。
  其次,在工业自动化控制系统中,例如PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)终端和远程I/O模块,该芯片用于保存固件、配置参数及校准数据,即使在断电或突发故障情况下也能保证关键信息不丢失,提升系统的安全等级。
  此外,在汽车电子系统中,该器件可用于车身控制模块(BCM)、仪表盘显示单元或车载诊断系统(OBD),满足AEC-Q100相关可靠性标准的部分要求(需具体确认批次认证情况),支持车辆在复杂电磁环境和极端温度条件下的稳定运行。
  在消费类高端设备中,如数字机顶盒、打印机主控板和智能安防摄像头,PC28F640J3F75B TR也发挥着重要作用,承载操作系统镜像和应用程序代码,确保设备快速响应和长期耐用。
  最后,在医疗设备和测试仪器中,该芯片用于存储设备校准曲线、操作日志和用户设置,保障数据完整性与合规性。总体而言,其广泛应用得益于其稳定的性能、成熟的生态系统支持以及广泛的第三方工具链兼容性,使其成为多行业嵌入式设计中的经典选择。

替代型号

S29GL064N90TF104
  S29GL064P_08
  MT28EW064ABA-0-SIT
  IS26LV512R-70TLI

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PC28F640J3F75B TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列StrataFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织8M x 8,4M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页75ns
  • 访问时间75 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-TBGA
  • 供应商器件封装64-EasyBGA(10x13)