型号：PC28F256P33TFE
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：256 Mbit
　　组织结构：16M x 16-bit
　　工艺技术：StrataFlash MLC Technology
　　接口类型：并行接口（x16）
　　供电电压：2.7V 至 3.6V（VCC）；2.7V 至 3.6V（VPP）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：48-pin TSOP Type I
　　编程电压：内部电荷泵生成高压
　　读取访问时间：70ns / 90ns / 120ns 可选
　　写入/擦除耐久性：典型值10万次
　　数据保持时间：10年（在+85°C下）
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　编程模式：标准编程、缓冲编程（ABP）
　　错误校正：内置ECC引擎
　　总线宽度：16位数据总线
　　地址总线宽度：24位
　　JEDEC标准兼容：符合相关Flash存储器规范

PC28F256P33TFE的核心特性之一是其采用的StrataFlash MLC（Multi-Level Cell）技术，这项技术允许每个存储单元存储多个比特的数据，通常为2比特/单元，从而将存储密度提升至传统单级单元（SLC）NOR Flash的两倍以上，同时有效降低了单位存储成本。这种高密度特性使得该芯片特别适合用于需要大量固件存储但空间受限的嵌入式系统中。尽管MLC技术通常会带来一定的写入速度下降和耐久性降低的问题，但通过优化算法和硬件设计，Intel在该器件上实现了性能与成本的良好平衡。
　　另一个关键特性是其支持高级缓冲编程（Advanced Buffer Programming, ABP）功能。在传统的编程模式下，每次只能编程一个字（word），而在ABP模式下，可以先将多达32个字的数据加载到内部缓冲区中，然后一次性完成编程操作。这种方式大大减少了主机CPU的等待时间，提高了整体写入吞吐量，并降低了系统级功耗。结合内部电荷泵技术，该芯片无需外部高压编程电源即可完成编程和擦除操作，简化了系统电源设计。
　　该器件还集成了强大的错误检测与纠正（ECC）机制，能够在读取过程中实时检测并修正单比特错误，同时报告多比特错误，确保数据完整性。这对于长时间运行或处于恶劣电磁环境下的工业和车载应用至关重要。此外，PC28F256P33TFE支持灵活的扇区架构，允许对特定区域进行独立擦除和编程，便于实现固件更新、参数保存和日志记录等功能。其宽温工作范围（-40°C 至 +85°C）和高抗干扰能力也使其适用于严苛环境下的长期稳定运行。

PC28F256P33TFE广泛应用于各类需要高可靠性、中等容量非易失性存储的嵌入式系统中。在通信领域，常用于路由器、交换机、基站控制器等设备中存储引导程序（bootloader）、操作系统映像和配置参数，得益于其快速随机访问能力和稳定的读取性能，能够实现快速启动和高效指令执行。在工业自动化控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程I/O模块中，用于存储控制逻辑、校准数据和故障日志，其宽温特性和抗干扰能力保障了在复杂工业环境下的可靠运行。
　　在网络基础设施设备如防火墙、网关和IP摄像头中，PC28F256P33TFE可用于存放固件和安全证书，支持现场升级（FOTA）功能，且其扇区保护机制可防止误擦写关键代码区。在汽车电子方面，该芯片适用于车身控制模块（BCM）、仪表盘系统、车载信息娱乐系统（IVI）等应用场景，满足AEC-Q100可靠性标准的部分等级要求，能够在车辆启动时快速加载程序代码，并长期保存行驶数据和用户设置。
　　此外，该器件也适用于医疗设备、测试测量仪器和消费类高端电子产品中，作为主程序存储器或辅助数据存储单元。由于其并行接口提供了较高的数据传输带宽，适合需要频繁读取大量代码的应用场景，尤其是在实时性要求较高的系统中表现优异。结合其长生命周期支持和工业级供货稳定性，PC28F256P33TFE成为许多长期部署项目的优选闪存方案。

MT28EW256ABA1LJS-0SIT
　　S29GL256P_01
　　IS25LP256