型号：PC28F256G18FE
　　制造商：Intel
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：256 Gb (32 GB)
　　组织结构：2K x 128K x 8/16 bit pages
　　工艺制程：25nm 或 20nm 类似工艺
　　接口标准：ONFI 1.0 兼容
　　总线宽度：x8 / x16 可配置
　　供电电压：3.3V ±10%
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP-56 或 BGA 封装（具体视版本而定）
　　页大小：4 KB + 128 字节（带外区域）
　　块大小：256 页/块
　　每平面缓存编程支持：支持
　　ECC要求：需外部控制器支持或内部辅助ECC
　　耐久性：约3,000 - 5,000次编程/擦除周期
　　数据保留时间：10年（典型值）
　　待机电流：≤15mA
　　读取电流：≤55mA
　　编程电流：≤25mA

PC28F256G18FE具备多项关键特性，使其在嵌入式NAND闪存领域具有较强的竞争力。首先，该芯片支持ONFI 1.0开放标准接口，极大简化了与主控处理器或FPGA之间的连接设计，提高了系统的互操作性和开发效率。其灵活的x8/x16总线宽度配置允许用户根据系统性能与引脚资源限制进行优化选择，在高带宽应用中可实现更高效的数据吞吐。芯片内部采用多平面架构设计，支持并发操作，如多平面读取、编程和擦除，显著提升了整体I/O性能和响应速度，特别适合需要持续写入的应用场景。
　　其次，该器件内置智能命令集，包括页读、页编程、块擦除、随机数据输入输出等功能，并支持缓存编程（Cache Program）模式，有效缩短编程时间，提高写入效率。同时，它具备动态坏块管理和冗余块分配机制，出厂时已标记初始坏块，系统可通过特定算法识别并跳过后续产生的坏块，确保长期使用的稳定性。ECC（错误校正码）支持方面，虽然芯片本身不包含完整的强ECC引擎，但它提供了状态反馈信号（如RE#、WE#、RB#等）以便外部控制器实施硬件或软件ECC算法，推荐使用至少4位或更高强度的纠错能力以保障数据安全。
　　再者，PC28F256G18FE具有出色的环境适应性，能够在工业级温度范围内稳定运行，适用于户外通信设备、轨道交通控制系统、军工电子等复杂工况场合。其低功耗设计也使得在电池供电或节能型系统中表现良好。此外，该芯片遵循RoHS环保规范，符合现代电子产品对绿色制造的要求。尽管目前该型号已进入停产或过渡阶段，但由于其成熟的技术和广泛的兼容性，仍然被众多客户继续使用，并可通过授权分销渠道获得库存产品或替代方案建议。

PC28F256G18FE广泛应用于多个对数据存储可靠性要求较高的工业与嵌入式领域。在工业自动化控制系统中，该芯片常被用作PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备及远程I/O模块的程序存储与数据记录介质，因其具备良好的抗干扰能力和长期稳定性，可在恶劣电磁环境中可靠运行。在网络通信设备方面，如路由器、交换机、防火墙和基站控制器等，PC28F256G18FE用于存放固件映像、配置文件和日志信息，支持快速启动和在线升级功能，满足设备长时间无故障运行的需求。
　　在车载电子系统中，该芯片可用于车载信息娱乐系统（IVI）、行车记录仪、ADAS（高级驾驶辅助系统）前端控制器等模块，存储操作系统镜像、地图数据或事件记录。由于其宽温特性和抗震性能，非常适合车辆在极端气候条件下使用。此外，在医疗设备领域，如便携式监护仪、超声成像系统和诊断终端中，该NAND闪存可用于保存患者数据、设备校准参数和操作日志，确保关键信息不会因断电而丢失。
　　在军事与航空航天领域，部分经过筛选的版本也被用于飞行控制单元、地面雷达系统和战术通信装置中，执行任务关键型数据的临时或持久存储。此外，该芯片还常见于POS终端、智能电表、数字标牌和工业SSD模组中，作为主存储单元使用。随着嵌入式系统向智能化、联网化发展，PC28F256G18FE凭借其成熟的生态支持和稳定的供货历史，在旧有平台维护和升级项目中仍具有重要地位。

MT29F256G08ABABA NAND Flash
　　TC58NVG2S0FBAI7
　　SAMSUNG K9WBG08U1A