型号：PC28F128P33BF60
　　类型：NOR Flash
　　容量：128 Mbit (16 MB)
　　接口类型：并行（x16）
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：56-pin TSOP
　　读取访问时间：70ns
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　组织结构：16M x 8 / 8M x 16
　　块数量：128块（每块64KB）
　　支持操作模式：读取、编程、块擦除、整片擦除、待机、深度省电
　　总线宽度：可配置为x8或x16模式

PC28F128P33BF60具备多项先进特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有突出优势。首先，它采用了英特尔独有的StrataFlash技术，结合多级单元（MLC）存储机制，在保证较高数据密度的同时维持了良好的耐久性和数据保持能力。每个存储单元可存储多个比特信息，使得在相同硅片面积下实现更高的存储容量，降低了单位存储成本，特别适合对成本敏感但又需要较大代码存储空间的应用场合。
　　其次，该芯片内置了嵌入式算法控制器（Embedded Algorithms），包括自动编程和自动擦除功能。这些算法在芯片内部运行，无需外部CPU持续干预，极大地减轻了主控处理器的负担。例如，在执行页编程或块擦除时，芯片会自动完成电压调节、脉冲施加和验证过程，并通过状态寄存器反馈操作结果，提升了系统的实时性和稳定性。用户可通过查询DQ6/DQ7状态位判断操作是否完成，也可启用中断通知机制以进一步优化系统效率。
　　再者，PC28F128P33BF60支持灵活的电源管理模式，包含通用使能（CE#）、输出使能（OE#）和写入使能（WE#）控制逻辑，允许设备在不使用时进入低功耗待机或深度省电模式，显著降低静态电流消耗，适用于电池供电或绿色节能型设备。
　　另外，该器件具有高可靠性的数据保持能力，典型值可达10年以上，擦写寿命约为10万次，满足大多数工业级应用需求。其错误管理机制支持ECC校验（部分依赖外部控制器），并可通过软件命令进行坏块标记与隔离，确保长期运行中的数据完整性。同时，支持硬件复位（RESET#）引脚，可在异常情况下强制恢复芯片至已知安全状态，增强了系统鲁棒性。

PC28F128P33BF60广泛应用于各类需要可靠代码存储和快速启动能力的嵌入式系统中。在通信设备领域，常用于路由器、交换机和基站模块中存储引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件，得益于其快速随机读取性能，系统可在上电后迅速加载关键代码并启动运行。在网络打印机、POS终端和工业HMI等人机交互设备中，该芯片用于存放固件、字体库和界面资源，支持频繁的小批量数据访问。
　　在工业自动化控制系统中，如PLC、远程I/O模块和传感器网关，PC28F128P33BF60作为程序存储介质，能够在恶劣环境下稳定工作，支持宽温范围运行，适应工厂现场的复杂温度变化。此外，在汽车电子领域，尽管该型号非AEC-Q100认证，但仍可用于车载信息娱乐系统、仪表盘控制单元或ADAS辅助系统的非安全关键模块中进行软件存储。
　　由于其并行接口提供较高的数据吞吐率，也适用于需要直接XIP（eXecute In Place）执行代码的应用场景，即CPU可以直接从NOR Flash中读取指令而无需先加载到RAM，节省内存资源并加快响应速度。此外，该芯片还可用于固件升级（FOTA/IAP）过程中的双Bank切换机制，实现无缝更新而不影响当前运行状态。配合外部EEPROM或NVRAM使用，还能构建完整的非易失性数据记录系统，满足日志存储、参数保存等多样化需求。

S29GL128P_01, S29GL128S_01