型号：PC28F128G18FF TR
　　制造商：Intel
　　类型：NOR Flash
　　容量：128 Gb (16 GB)
　　组织结构：64位 x2
　　工艺技术：C3工艺
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　接口类型：并行接口
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：100
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　编程时间（典型值）：约 10μs/字
　　块擦除时间（典型值）：约 0.5ms - 2ms
　　读取访问时间（最大值）：约 90ns
　　可靠性：耐久性达10万次编程/擦除周期
　　数据保持时间：超过10年（在额定条件下）

PC28F128G18FF TR具备多项先进特性，使其成为高端嵌入式系统中理想的固件存储解决方案。首先，该芯片采用C3工艺技术，这是英特尔在其NOR Flash产品线中引入的一种优化制程，能够在缩小芯片尺寸的同时提升性能与可靠性。C3工艺增强了电荷保持能力，降低了漏电流，并提高了抗干扰能力，从而在高温和长期使用环境下依然维持出色的数据稳定性。这一特性对于汽车电子或工业控制系统尤为重要，因为这些应用场景往往要求元器件在极端条件下持续运行多年而不出现数据丢失或功能异常。
　　其次，该器件支持多平面操作（Multi-Plane Operation），允许两个独立的存储平面并行进行编程或擦除操作。这种并行处理机制大幅缩短了整体写入时间，提升了系统级写入效率。例如，在执行固件升级时，可以交替对两个平面进行操作，减少等待时间，提高用户体验。此外，多平面架构还有助于延长器件寿命，因为它可以更均匀地分布写入负载，避免局部区域过度磨损。
　　再者，PC28F128G18FF TR内置了强大的错误检测与纠正（ECC）功能，可在硬件层面实时监测读取过程中的位翻转现象，并自动修复单比特错误，检测双比特及以上错误。这不仅增强了系统的容错能力，也减少了对外部ECC控制器的依赖，简化了系统设计复杂度。配合智能坏块管理机制，该芯片能够自动标记不可靠存储区块，防止后续数据写入到已损坏区域，进一步保障数据安全。
　　最后，该器件提供灵活的电源管理模式，包括低功耗待机模式和深度掉电模式，有助于降低系统整体功耗，特别适用于对能耗敏感的应用场合。其快速唤醒能力确保从低功耗状态恢复至正常工作状态的时间极短，不影响系统响应速度。结合高读取速度（90ns访问时间）和宽温工作能力，PC28F128G18FF TR在性能、可靠性与能效之间实现了良好平衡。

PC28F128G18FF TR广泛应用于对存储性能和可靠性有严苛要求的领域。在通信基础设施中，常用于路由器、交换机和基站设备的固件存储，支持快速启动和频繁更新，满足网络设备高可用性需求。在工业自动化领域，该芯片被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和工业网关中，用于存放操作系统镜像和配置参数，确保设备在断电重启后能迅速恢复正常运行。汽车电子方面，尽管当前主流车规级Flash已逐步转向串行接口，但PC28F128G18FF TR仍可用于部分高端车载信息娱乐系统或ADAS（高级驾驶辅助系统）模块中，特别是在需要大容量并行访问的旧平台设计中。
　　此外，在医疗设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中，该芯片因其高可靠性与长数据保持能力而受到青睐。例如，在医疗成像设备中，用于存储启动代码和校准数据，确保每次开机都能准确加载关键信息。在军工和航天应用中，其宽温特性和抗辐射设计（通过封装和工艺间接体现）使其能在极端环境中稳定工作。由于其非易失性与快速随机读取能力，也非常适合用作XIP（eXecute In Place）存储器，即直接在Flash中执行代码，无需将程序加载到RAM，从而节省内存资源并加快启动速度。这类应用常见于实时操作系统（RTOS）环境中，如VxWorks或FreeRTOS平台。

S29GL128S
　　MT28EW128ABA
　　IS25LP128A