时间：2025/12/27 3:48:43
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PC28F128G18FE是英特尔（Intel）推出的一款NOR闪存芯片，属于其高性能、低功耗的并行接口闪存产品系列之一。该器件主要面向需要高可靠性和快速启动能力的应用场景，如工业控制、网络设备、嵌入式系统和汽车电子等领域。PC28F128G18FE提供128Gb（即16GB）的存储容量，采用56引脚TSOP封装形式，具备标准的CE#、OE#、WE#控制信号，支持与微处理器或微控制器直接连接，适用于对数据保持性和耐用性有较高要求的系统设计。
该芯片基于Intel成熟的浮栅技术制造，支持多电压操作，包括核心电压Vcc为1.8V，I/O电压VccQ也为1.8V，符合现代低功耗系统的设计需求。其内部结构划分为多个可独立擦除的扇区（sector），允许局部更新而不影响其他区域的数据，提升了系统的灵活性和写入效率。此外，该器件支持页编程模式，可提升写入速度，并具备较强的抗干扰能力和长期数据保存性能，在恶劣环境条件下仍能稳定运行。
型号：PC28F128G18FE
制造商：Intel
存储类型：NOR Flash
存储容量：128 Gb (16 GB)
接口类型：并行（x16）
工作电压 - Vcc：1.7 V 至 1.95 V
工作电压 - VccQ：1.7 V 至 1.95 V
封装类型：56-TSOP
温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
读取访问时间：最大70ns
编程电压：内部电荷泵生成所需高压
擦除方式：按扇区或整片擦除
数据保持时间：10年（典型值）
耐久性：100,000次编程/擦除周期（每扇区）
总线宽度：x16 模式
待机电流：低于15μA（典型值）
读取电流：约30mA（典型值）
编程/擦除电流：约50mA（典型值）
PC28F128G18FE具备多项关键技术特性，使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先，其采用1.8V单电源供电架构，同时为核心逻辑和I/O接口提供统一电压，简化了系统电源设计，并有效降低整体功耗，特别适合电池供电或能源受限的应用环境。该芯片支持高速读取操作，典型访问时间可达70ns，能够满足实时操作系统（RTOS）或其他需要快速代码执行的应用需求，实现XIP（Execute In Place）功能，即直接从闪存中运行程序而无需先加载到RAM中，从而节省内存资源并加快启动速度。
其次，该器件具有高度灵活的扇区架构，内部将128Gb的存储空间划分为多个可独立编程和擦除的扇区，允许用户进行细粒度的数据管理。这种设计不仅提高了写入效率，还延长了器件的整体寿命，因为在频繁更新某些区域时不会过度磨损其他静态数据区。每个扇区支持高达10万次的编程/擦除循环，结合智能磨损均衡算法可在系统层面进一步提升可靠性。此外，芯片内置状态机控制编程与擦除操作，减少了主控CPU的干预负担，提升了系统响应效率。
再者，PC28F128G18FE具备出色的环境适应能力，支持宽温工作范围（-40°C至+85°C），确保在极端温度条件下的数据完整性和操作稳定性。其数据保持能力长达10年，在断电情况下仍能可靠保存信息。器件还集成了多种硬件保护机制，包括软件写保护、Vpp检测、未上电保护等，防止误写或意外擦除，保障关键固件的安全性。最后，该芯片兼容JEDEC标准的TSOP封装规范，便于PCB布局与替换升级，广泛适用于通信基站、路由器、PLC控制器、车载信息娱乐系统等对稳定性要求严苛的工业和汽车级应用。
PC28F128G18FE广泛应用于各类需要高可靠性、快速启动和本地代码存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统，例如可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）和远程终端单元（RTU），这些设备依赖于稳定的固件存储和快速响应能力，该芯片的XIP特性和低延迟读取表现优异。在网络通信领域，它被用于路由器、交换机、防火墙和光模块控制单元中，用于存放引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件，确保设备通电后能迅速初始化并进入工作状态。
在汽车电子方面，该器件可用于高级驾驶辅助系统（ADAS）、车载导航系统和车身控制模块（BCM），尤其是在功能安全等级要求较高的场合，其长期数据保持能力和抗干扰特性提供了有力保障。此外，在医疗设备、测试测量仪器以及航空航天电子系统中，由于对数据完整性与运行稳定性有极高要求，PC28F128G18FE也常作为首选的非易失性存储解决方案。其并行接口结构适合与传统MPU或DSP平台对接，尤其适用于尚未迁移到串行接口（如SPI NOR）的老一代或专用硬件平台，帮助客户维持现有设计的同时获得大容量和高性能的存储支持。
MT28EW128ABA1LWS-0SIT
S29GL128S11TFIV10
