时间：2025/12/27 3:59:20
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PC28F00AP33EF0是英特尔（Intel）推出的一款NOR型闪存芯片，广泛应用于需要高可靠性和快速读取性能的嵌入式系统中。该器件属于Intel的StrataFlash?架构系列，支持多层单元（MLC）技术，能够在单个存储单元中存储多个比特信息，从而提高存储密度并降低成本。这款芯片采用48引脚TSOP封装或48球BGA封装，适合在工业控制、网络设备、通信基础设施以及汽车电子等对数据持久性和稳定性要求较高的领域使用。PC28F00AP33EF0具备非易失性存储特性，断电后仍能保持所存储的数据，同时支持页擦除和块擦除操作，具有良好的耐久性和数据保留能力。其工作电压通常为3V级别（2.7V至3.6V），兼容低功耗设计需求，并可通过标准的外部接口进行访问，便于集成到现有系统中。此外，该芯片内置了内部状态机，能够自动执行编程和擦除操作，减轻主控处理器的负担，提升系统整体效率。
型号：PC28F00AP33EF0
制造商：Intel
存储类型：NOR Flash
存储容量：1 Gb（128 MB）
组织结构：64 Mb x16（可配置为x8/x16）
工艺技术：StrataFlash MLC
封装形式：48-pin TSOP-I 或 48-ball BGA
电源电压：2.7 V 至 3.6 V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
读取访问时间：70 ns / 90 ns（取决于速度等级）
编程/擦除电压：内部电荷泵生成
擦除方式：扇区擦除、整片擦除
写保护功能：硬件WP#引脚支持
总线宽度：可配置为x8或x16模式
接口标准：CE#、OE#、WE#控制信号，兼容通用异步存储器接口
PC28F00AP33EF0采用Intel专有的StrataFlash MLC（Multi-Level Cell）技术，使得每个存储单元可以存储多个比特的信息，显著提升了存储密度，同时降低了单位成本，非常适合大容量代码存储与数据存储兼顾的应用场景。该芯片支持高效的读取性能，典型读取访问时间为70ns，确保在嵌入式系统中实现快速启动和实时指令执行。其内部集成了电荷泵电路，可在标准I/O电压下完成编程和擦除操作，无需额外的高压电源，简化了系统电源设计。
该器件支持灵活的扇区架构，允许对部分存储区域进行独立擦除和编程，有助于实现更精细的数据管理策略，如固件更新时保护关键引导代码。它还具备硬件写保护功能（通过WP#引脚），防止意外写入或擦除操作，增强了系统的数据安全性。PC28F00AP33EF0内置状态寄存器和内部状态机，能够自动监测编程和擦除操作的状态，并提供轮询机制供主机查询，提升了操作可靠性。
此外，该芯片支持软件命令集，包括解锁、编程、擦除、挂起/恢复等功能，提供了高度的控制灵活性。支持擦除暂停功能，允许在执行长时间擦除操作过程中临时插入读取或编程操作，提高了多任务处理能力。在环境适应性方面，其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于严苛的工作环境，例如户外通信设备或车载控制系统。Intel还提供了配套的驱动程序和参考代码，便于客户快速完成系统集成与调试。
PC28F00AP33EF0广泛应用于需要高可靠性、快速读取和中等写入频率的嵌入式系统中。常见用途包括网络路由器、交换机和基站控制器中的固件存储，用于存放操作系统映像、配置文件和启动代码，确保设备通电后能够迅速加载运行。在工业自动化领域，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块中，作为程序存储介质，支持长期稳定运行。
在汽车电子方面，PC28F00AP33EF0可用于车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘控制模块和ADAS（高级驾驶辅助系统）控制器中，满足车规级环境下的数据存储需求。由于其具备良好的数据保持能力和抗干扰特性，也常被用于医疗设备、测试仪器和军事通信设备中，作为关键代码和校准数据的非易失性存储解决方案。
此外，在POS机、打印机、智能电表等消费类和工业类终端设备中，该芯片同样发挥着重要作用。其x8/x16总线可配置性使其能够适配多种微控制器和处理器平台，增强了系统设计的灵活性。对于需要现场升级固件的应用，该芯片支持分区域擦写功能，便于实现增量更新和回滚机制，提升产品维护效率。
MT28EW01GABA1LJS-0SIT
S29GL01GS11TFI020
IS25LP1G-B
