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PBYR1025D 发布时间 时间:2025/10/6 14:20:29 查看 阅读:9

PBYR1025D是一款由Panjit International Inc.生产的10A、25V肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用TO-277B封装。该器件专为高效率电源转换应用而设计,具有低正向电压降和快速开关特性,适用于多种中等功率的整流与续流场景。PBYR1025D通过其紧凑的表面贴装封装形式,能够在有限的空间内提供较高的电流处理能力,适合现代电子产品对小型化和高能效的需求。该二极管广泛应用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电源适配器以及电池充电系统中。由于采用了肖特基势垒技术,PBYR1025D避免了传统PN结二极管的少数载流子存储效应,从而显著提升了开关速度并降低了反向恢复损耗,有助于提高整体系统效率。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。

参数

型号:PBYR1025D
  类型:肖特基势垒二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):25V
  最大直流阻断电压(VR):25V
  平均整流电流(IO):10A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):150A(8.3ms单半波)
  最大正向电压降(VF):0.64V @ 10A, 25°C
  最大反向漏电流(IR):0.5mA @ 25V, 25°C
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-277B
  安装方式:表面贴装(SMD)
  引脚数:3
  热阻(RθJA):约40°C/W(依PCB布局而定)
  极性:中心阴极

特性

PBYR1025D的核心优势在于其低正向电压降和优异的开关性能,这使其在高频率和高效率电源系统中表现出色。其最大正向电压降仅为0.64V,在10A的大电流条件下仍能有效降低导通损耗,提升系统能效。相比传统的快恢复二极管或普通硅整流二极管,肖特基结构不存在少子存储电荷问题,因此几乎无反向恢复时间(trr可忽略),极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),特别适合用于高频DC-DC变换器和同步整流辅助电路中。
  该器件采用TO-277B封装,具有三个引脚,其中心阴极为主电流通路,有利于改善热传导路径,增强散热能力。封装结构支持自动化贴片生产,适用于回流焊工艺,确保大批量制造时的一致性和可靠性。同时,其较小的外形尺寸有助于节省PCB空间,满足便携式设备和高密度电源模块的设计需求。
  PBYR1025D具备良好的热稳定性,可在-55°C至+125°C的结温范围内稳定运行,适用于工业级和消费类电子产品的严苛环境。器件还具有较强的浪涌电流承受能力(高达150A),可在瞬态过载或启动冲击下保持安全运行。此外,产品通过AEC-Q101车规级可靠性测试的可能性较高,部分批次可用于汽车电子应用,如车载充电器、LED照明驱动等场景。
  从材料和环保角度看,PBYR1025D符合RoHS指令要求,不含铅及其他有害物质,支持绿色制造理念。其金属-半导体结结构相较于传统PN结更易于控制制造参数,保证了批次间的一致性与长期供货稳定性。总体而言,PBYR1025D是一款兼顾高性能、高可靠性和高集成度的中功率肖特基二极管,适用于追求高效节能与紧凑设计的现代电源系统。

应用

PBYR1025D广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电源系统中。典型应用场景包括开关模式电源(SMPS),尤其是在低电压输出(如5V、3.3V、1.8V)的二次侧整流电路中,利用其低正向压降特性可显著提升转换效率。在DC-DC降压或升压转换器中,该器件常被用作续流二极管或防倒灌二极管,配合MOSFET实现高效的能量传递与隔离。
  该二极管也常见于电源适配器、USB PD充电器、笔记本电脑电源模块等消费类电子产品中,帮助实现小型化与高能效设计。在光伏逆变器和UPS不间断电源系统中,PBYR1025D可用于输入级或输出级的保护与整流功能,提供可靠的电流单向导通能力。
  此外,在电池管理系统(BMS)和电动工具电源模块中,该器件可用于防止电池反接或实现充放电路径隔离。在LED照明驱动电源中,它可作为箝位或续流元件,抑制电压尖峰并提高系统稳定性。
  由于其表面贴装封装和良好的热性能,PBYR1025D也适用于自动化程度高的SMT生产线,适合大规模量产应用。在汽车电子领域,如车载信息娱乐系统、DC-DC转换模块和车载充电机中,该器件同样具备应用潜力,尤其在非高温引擎舱区域的低压电源管理单元中表现良好。

替代型号

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