类型：晶体管输出光电耦合器
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出耐压（VCEO）：80 V
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：300 mV（典型值）
　　电流传输比（CTR）：50%～600%（在IF=5mA, VCE=5V条件下）
　　上升时间（tr）：3 μs
　　下降时间（tf）：3 μs
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　封装形式：DIP-4（双列直插式4引脚）
　　安装类型：通孔安装

PBVP-03V-S具备优异的电气隔离性能，其最大隔离电压可达5000 Vrms，能够在高电压环境中保障控制端电路的安全性，避免因高压串扰导致系统故障或人身伤害。该光耦采用高效率的GaAs红外LED与硅光电晶体管组合结构，在低输入驱动电流下仍能保持良好的输出响应，典型电流传输比（CTR）范围为50%至600%，确保在不同负载条件下均有稳定的信号传递能力。
　　器件具有快速的开关响应特性，上升和下降时间均为3微秒，适合用于中速数字信号隔离场合，如PLC输入模块、开关电源反馈回路、微控制器接口隔离等。宽泛的工作温度范围（-55°C至+110°C）使其可在极端环境条件下可靠运行，适用于工业级应用场景。此外，该器件具有良好的线性度和温度稳定性，能够在温度变化较大的情况下维持较为一致的传输特性。
　　PBVP-03V-S采用DIP-4封装，引脚配置标准，兼容通用PCB布局设计，便于手工焊接和自动化装配。其内部结构经过优化，具有较强的抗电磁干扰（EMI）能力，并且具备较高的绝缘爬电距离和电气间隙，满足国际安全标准要求（如UL、CSA、VDE等）。由于其非线性输出特性，不适合用于模拟信号的精确传输，但在数字信号隔离、状态检测、电平转换等方面表现优异。整体而言，该器件以高可靠性、长寿命和成本效益著称，是工业控制和电源系统中常用的隔离解决方案之一。

PBVP-03V-S广泛应用于需要电气隔离的各种电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的反馈控制电路，用于将次级侧的电压信息隔离后传送到初级侧控制器，从而实现稳定的输出电压调节；在可编程逻辑控制器（PLC）中作为数字输入模块的隔离器件，用于接收现场传感器或开关信号，防止工业现场的高压瞬变损坏中央处理单元；也常用于逆变器、UPS不间断电源、电机驱动器等电力电子设备中，实现控制信号与功率电路之间的安全隔离。
　　此外，该光耦可用于微处理器系统的I/O隔离，保护主控芯片免受外部电路故障影响；在通信接口电路（如RS-232、RS-485隔离）中也有应用，提升系统的抗噪能力和通信稳定性；还可用于电池管理系统（BMS）、医疗电子设备、测试仪器等领域，满足对安全性与可靠性的严格要求。由于其通孔安装方式和成熟的工艺技术，特别适合对机械强度和长期稳定性要求较高的工业设备。

EL357N C,BV1503S-TR,EPC357N-B