PBU810 时间：2025/9/6 6:27:35 阅读：17

PBU810 是一款广泛应用于电源管理和开关电路中的N沟道功率MOSFET。该器件由先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性。PBU810 通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及各种高功率应用中。其封装形式为TO-252（DPAK），便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.7mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

PBU810 MOSFET采用了先进的沟槽式功率技术，使其在导通状态下的电阻非常低，从而减少了导通损耗，提高了效率。其最大漏源电压为80V，漏极连续电流可达80A，适用于中高功率应用。
　　此外，PBU810具备良好的热稳定性和高耐雪崩能力，能够在高负载和瞬态条件下保持稳定工作。其栅极驱动电压范围宽（通常在10V左右驱动），使得与多种驱动电路兼容。
　　该器件的封装为TO-252（DPAK），具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，广泛用于汽车电子、工业控制、电源系统和电机驱动等领域。

应用

PBU810 常用于各种高功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、电机控制器和负载开关电路等。其优异的导通性能和高电流能力使其在需要高效能和低损耗的电源管理应用中表现出色。
　　在汽车电子方面，PBU810可用于车载充电器、起停系统、LED照明驱动等场景。在工业控制领域，它被广泛应用于伺服驱动器、PLC电源模块和智能电表等设备中。
　　由于其高可靠性和优异的热性能，PBU810也常被用于需要长时间稳定运行的系统中，例如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和储能系统。