时间：2025/9/14 17:35:13
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PBSS9110Z,135 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率密度和高效率的应用中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理、电机控制等多种应用场景。该MOSFET采用小型化DFN1006BD-3封装，适合空间受限的设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：100 V
栅极-源极电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）@25°C：3.8 A
漏源导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：110 mΩ
漏源导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：150 mΩ
功率耗散（Ptot）：1.2 W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN1006BD-3
PBSS9110Z,135 具备多项优异特性，适用于各种高性能功率应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）在10V VGS下仅为110mΩ，在4.5V VGS条件下为150mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET具备较高的热稳定性，结合DFN封装的优良散热性能，使其在高电流负载下仍能保持稳定运行。
此外，该器件采用了先进的沟槽（Trench）技术，使得导通电阻与栅极电荷（Qg）之间达到良好的平衡，适用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围宽，支持4.5V至10V之间的驱动，适用于多种驱动电路配置。
该MOSFET具备较强的雪崩耐受能力，可承受一定的电压过冲，提高了系统在异常情况下的可靠性。此外，其封装尺寸小，适合便携式设备和高密度PCB布局。由于采用无铅和符合RoHS标准的材料，PBSS9110Z,135 符合环保要求，适用于消费类、工业类以及汽车电子等多种领域。
PBSS9110Z,135 主要应用于需要高效能和小尺寸封装的功率管理系统中。常见用途包括同步整流DC-DC转换器、电池充电与管理系统、负载开关、电源管理模块、电机驱动电路以及各类便携式电子产品中的功率控制部分。此外，该MOSFET还可用于LED照明驱动、电源适配器、智能电表、工业自动化设备和汽车电子系统中的低边开关应用。
在电源管理设计中，该器件可以作为负载开关用于控制不同电路模块的供电，实现节能和过载保护功能。在电机控制中，其低RDS(on)特性有助于减少功耗并提高整体效率。在消费类电子产品中，其小型化封装和高可靠性使其成为理想选择。
SiSS108DN-T1-E3, NDS351AN-T1, BSS138K-13-F
