PBSS9110T 时间：2025/6/18 21:32:44 阅读：3

PBSS9110T 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT-23 封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种低压电源管理应用。其设计旨在优化效率与性能，特别适合需要高能效的便携式电子设备。
　　该器件的最大漏源电压为 30V，工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，能够承受较高的结温环境，确保在恶劣条件下稳定运行。PBSS9110T 的低栅极电荷特性有助于降低开关损耗，同时提高系统的整体效率。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：1.4A
　　导通电阻（典型值）：80mΩ
　　栅极电荷：4nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

PBSS9110T 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保在高电流应用中减少功耗。
　　2. 快速的开关速度降低了开关过程中的能量损耗。
　　3. 小巧的 SOT-23 封装节省了 PCB 布局空间，非常适合紧凑型设计。
　　4. 较宽的工作温度范围使其能够在各种极端环境下正常运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
　　6. 内部防静电保护电路增强了产品的可靠性。

应用

PBSS9110T 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器及负载点 (POL) 转换。
　　3. 电池供电的便携式设备，例如智能手机、平板电脑等。
　　4. 电机驱动控制电路。
　　5. 6. LED 驱动器和其他低功率消费类电子产品。