时间：2025/9/15 1:30:57
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PBSS8110Y是一款由Nexperia（原安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效能和高可靠性应用而设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备以及工业控制系统中。该MOSFET采用Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于中高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：110A @ 25°C
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：@ 10V Vgs：4.0mΩ（最大）；@ 4.5V Vgs：5.5mΩ（最大）
功耗（Ptot）：87W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8兼容）
PBSS8110Y具有多项优异特性，使其适用于高要求的电源设计。其采用的Trench MOSFET结构可显著降低导通电阻，从而减少导通损耗并提高系统效率。该器件的Rds(on)典型值低至4mΩ，在10V栅极驱动条件下可提供出色的电流承载能力，有助于降低功率损耗并提高散热性能。
此外，该MOSFET采用了LFPAK56封装，具备优异的热管理能力，能够有效散热，适用于高密度和高功率密度的PCB设计。LFPAK封装还具有低热阻（Rth）和高机械稳定性，提升了器件在恶劣环境下的可靠性。
PBSS8110Y支持宽范围的栅极驱动电压，适用于4.5V至10V的驱动条件，兼容多种栅极驱动IC，适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关等应用场景。其栅极氧化层具备高击穿电压（±20V），增强了器件的抗干扰能力，防止因过电压导致的损坏。
该MOSFET具有低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），有助于减少开关损耗，提高高频开关应用中的效率。这使得PBSS8110Y在同步整流、高边开关和电机控制等应用中表现出色。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。
PBSS8110Y适用于多种电源管理和功率控制应用。其低Rds(on)和高电流能力使其成为DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源分配系统和电机驱动电路的理想选择。在服务器电源、电信设备、工业自动化和汽车电子等领域，该器件能够提供高效率和高可靠性。由于其良好的热性能和紧凑的封装，它也适用于空间受限但需要高性能的PCB设计。
SiS828DN, IRF6717, BSC050N03MS, IPB011N03LG, FDS4410A
