时间：2025/9/14 12:33:17
阅读：4
PBSS8110Y,115 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源管理应用，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点。该MOSFET采用TSSOP（TVSOP）封装，适用于需要高效能和紧凑布局的电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4.8A
导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSSOP-8
PBSS8110Y,115 具备多项高性能特性，使其适用于多种功率管理应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。
其次，该MOSFET具备较高的连续漏极电流能力（4.8A），可在高负载条件下稳定运行。
此外，其TSSOP封装设计有助于在PCB上实现紧凑布局，并提供良好的热管理性能，确保器件在高温环境下仍能保持稳定工作。
该器件还具备良好的开关特性，包括快速开关速度和低栅极电荷（Qg），这有助于减少开关损耗，提高整体能效。
最后，PBSS8110Y,115 支持宽范围的工作温度，使其适用于工业级和汽车电子应用环境。
PBSS8110Y,115 适用于多种电源管理与功率控制应用，包括但不限于：电源转换器（如DC-DC转换器）、负载开关、马达控制、LED照明驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。
此外，由于其优异的热稳定性和封装紧凑性，也广泛应用于便携式电子产品、通信设备和汽车电子系统中。
Si2302DS, AO3400A, IRLML6401, FDS6675
