时间：2025/9/15 1:15:42
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PBSS5580PA 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装。该器件专为高效率、高频开关应用设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等场景。其高电流能力和低导通电阻使其在高功率密度设计中具有显著优势。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：80 V
栅源电压 Vgs：±20 V
连续漏极电流 Id（@25°C）：130 A
导通电阻 Rds(on)（@4.5V Vgs）：5.5 mΩ
功耗（Ptot）：97 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：LFPAK56（Power-SO8）
PBSS5580PA 具有极低的导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，这使得它在开关过程中能够有效降低功率损耗，提高整体系统效率。其采用的 LFPAK56 封装技术不仅提高了热性能，还增强了器件的机械稳定性和可靠性。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V 的工作电压，兼容多种控制电路，包括低压微控制器和标准电源控制器。此外，其高雪崩能量耐受能力确保了在突发负载或反向电动势情况下器件的安全运行。
由于采用了先进的沟槽技术，PBSS5580PA 在高频开关应用中表现出色，适用于同步整流、电源转换和负载开关等需要快速响应的电路。其热阻低，有助于在高负载条件下维持稳定的工作温度，延长使用寿命。
PBSS5580PA 被广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于：
1. 电源管理系统：用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统中，提供高效的能量传输。
2. 电机驱动电路：适用于工业自动化和汽车电子中的电机控制模块，提供高电流输出和快速响应能力。
3. 电源适配器与充电器：在高功率 USB PD 或其他快充方案中作为同步整流器或功率开关使用。
4. 汽车电子：如车载充电器、起停系统、电动助力转向系统等，具备良好的耐高温和抗振动性能。
5. 工业控制设备：用于 PLC、伺服驱动器和不间断电源（UPS）等设备中，提升系统效率和稳定性。
SiSS138DN-T1-GE3, IPB013N08N3 G, FDS4410BZ
