时间：2025/9/13 20:50:22
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PBSS5540Z115 是由Nexperia（原恩智浦半导体分立器件业务）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TrenchMOS技术制造，适用于高效率功率转换应用。该器件采用小型DFN2020-6封装，具有优异的热性能和电气性能，适合在空间受限的应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：11A
导通电阻（RDS(on)）：20mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（Ptot）：3.6W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：DFN2020-6
PBSS5540Z115 采用先进的TrenchMOS技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其DFN2020-6封装提供了良好的散热性能，即使在高电流条件下也能保持较低的温升。此外，该器件具有较高的电流能力，连续漏极电流可达11A，适用于需要高功率密度的设计。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V的栅极驱动电压，便于与多种驱动器配合使用。同时，其较高的雪崩能量耐受能力增强了器件在瞬态条件下的可靠性。PBSS5540Z115还具有优异的抗短路能力，适用于对可靠性有高要求的应用场景。
该器件符合RoHS环保标准，并具有高可靠性和长使用寿命，适合在工业、汽车和消费类电子产品中使用。
PBSS5540Z115 主要用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达控制、电池管理系统（BMS）以及电源管理模块等应用中。其高效率和小尺寸特性使其成为便携式设备、汽车电子系统和工业自动化设备中的理想选择。此外，该MOSFET也可用于LED照明驱动电路、热插拔电源控制以及各种功率开关应用。
SiSS64DN, AO4464, BUK9M56-40B, IPD90P03P4-03
