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PBSS5540Z,115 发布时间 时间:2025/9/14 21:14:58 查看 阅读:7

PBSS5540Z,115 是由Nexperia(原安森美半导体的一部分)制造的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),采用小型SOT-223封装。这款晶体管专为高电流开关应用而设计,具有较低的饱和电压(VCE(sat)),可在高效率开关电路中提供出色的性能。其高电流处理能力和优异的热稳定性,使其适用于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动器及电源管理电路等应用。

参数

晶体管类型:NPN BJT
  集电极-发射极电压(VCEO):40V
  集电极电流(IC):5A
  功耗(PD):1W
  增益带宽(GBW):100MHz
  电流增益(hFE):在Ic=2A时为50-300(根据不同的数据表分档)
  饱和电压(VCE(sat)):最大170mV(典型值120mV)在Ic=2A, Ib=100mA条件下
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:SOT-223

特性

PBSS5540Z,115 的主要特性之一是其极低的饱和电压(VCE(sat)),这使得该器件在高电流工作状态下功耗更低,提高了整体系统效率。此外,该晶体管具有高电流承载能力,额定集电极电流可达5A,适用于中高功率应用。
  其SOT-223封装不仅节省空间,而且具有良好的散热性能,有助于在高负荷下维持稳定工作。该器件的hFE(电流增益)范围较宽,根据不同的等级可提供从50到300的增益值,适用于多种放大和开关电路设计。
  PBSS5540Z,115 还具备良好的热稳定性和可靠性,能够在严苛环境条件下长时间稳定运行。其高频率响应(GBW为100MHz)也使其适用于一些高频开关应用。
  该晶体管符合RoHS标准,采用无铅封装,适用于现代环保型电子产品设计。

应用

PBSS5540Z,115 适用于多种需要高效开关和中高功率放大的电子系统中。常见应用包括电源管理电路中的负载开关、DC-DC转换器中的主开关元件、电机驱动器、LED照明控制器以及工业自动化设备中的继电器驱动电路。
  由于其低饱和电压和高电流能力,该晶体管也广泛用于电池供电设备中的功率控制,如便携式充电器、移动电源和智能电表等。此外,它还适用于需要快速开关响应的PWM控制电路,以实现精确的功率调节。
  在汽车电子领域,PBSS5540Z,115 可用于车身控制模块、车灯控制单元和车载充电系统等应用。其优良的热性能和可靠性使其能够在高温环境下稳定运行,满足汽车应用的严苛要求。

替代型号

PBSS5540X,115, PBSS5540T,115, PBSS5540Z,115, BCX70N40U, FZTA49

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PBSS5540Z,115参数

  • 产品培训模块BISS Transistors
  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)160mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)150 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换120MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SC-73
  • 包装带卷 (TR)