时间：2025/9/14 11:19:35
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PBSS5480X,135 是由 NXP（恩智浦）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力。这款MOSFET专为高效能功率转换应用而设计，适用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制以及电池供电设备等场景。其封装形式为DFN2020-6（SOT1223-6），体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：1.6A
导通电阻(RDS(on))：最大100mΩ @ VGS=4.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：DFN2020-6
PBSS5480X,135 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在4.5V的栅极驱动电压下，其最大RDS(on)仅为100毫欧，确保了在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗。
其次，该器件采用先进的沟槽MOSFET技术，优化了导通性能和开关速度，从而在高频开关应用中表现出色，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高整体系统的功率密度。
此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，其DFN2020-6封装设计具有优异的热阻性能，有助于快速散热，从而在高负载条件下保持稳定运行。该封装尺寸小巧，仅为2.0mm x 2.0mm，适用于空间受限的设计。
该器件还具有较高的耐用性和可靠性，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内正常工作，适应各种恶劣环境条件下的应用需求。其栅极驱动电压范围为±20V，确保了在不同驱动电路中均可稳定运行，兼容多种控制方案。
总体而言，PBSS5480X,135 是一款性能优越、体积小巧的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和可靠性要求较高的电源管理系统。
PBSS5480X,135 广泛应用于多种功率管理与转换场景。由于其低导通电阻和高效率特性，它常用于DC-DC降压或升压转换器中，作为主开关器件，提升转换效率并减少发热。在便携式电子设备中，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，该MOSFET用于电池供电电路的功率控制，有助于延长电池寿命并提升整体能效。
该器件也适用于电机控制电路，例如在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件使用，能够有效降低功率损耗并提高响应速度。此外，由于其封装体积小且具有良好的热性能，PBSS5480X,135 也适合用于高密度PCB设计，例如电源管理IC（PMIC）外围电路、LED驱动电路以及负载开关应用中。
在汽车电子系统中，该MOSFET可用于车载充电系统、车身控制模块（BCM）以及车载信息娱乐系统中的功率调节电路。其宽工作温度范围也使其适用于工业自动化设备、传感器供电系统和智能电表等环境较为严苛的应用场景。
Si2301DS, FDN337N, BSS138K
