PBSS5360XX 时间：2025/9/14 15:59:44 阅读：13

PBSS5360XX 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻、高功率密度和优异的热稳定性。该器件广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等领域。PBSS5360XX 采用 SOT223 封装，具备良好的散热性能，适合在中高功率应用中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：6.3A
　　导通电阻(Rds(on))：最大 36mΩ @ Vgs=10V
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT223

特性

PBSS5360XX MOSFET 具备多项优异特性，适用于多种功率应用。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，提高系统效率。Trench 工艺的应用使得器件在相同芯片面积下具备更高的电流承载能力和更低的导通电阻，从而提升整体性能。该器件支持高达 ±20V 的栅源电压，具备较强的抗电压波动能力，适用于多种栅极驱动电路。
　　此外，PBSS5360XX 采用 SOT223 封装，具有良好的热管理性能，能够在高功耗条件下保持稳定运行。其最大连续漏极电流为 6.3A，漏源电压额定值为 60V，适用于中等功率应用。该 MOSFET 还具备快速开关能力，有助于降低开关损耗，适用于高频开关电路。

应用

PBSS5360XX 广泛应用于多种功率电子系统中。在电源管理系统中，可用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等电路，实现高效能电能转换。在电机控制系统中，该器件适用于 H 桥驱动电路，提供高效、可靠的功率开关功能。由于其具备较高的电流承载能力和良好的热管理性能，特别适用于便携式设备和电池供电系统中的功率控制模块。
　　此外，该 MOSFET 在汽车电子领域也有广泛应用，例如用于车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）和车载充电系统等。其 AEC-Q101 认证确保其在汽车环境下具备良好的可靠性和稳定性。在工业自动化设备中，PBSS5360XX 可用于继电器替代、电机驱动和电源分配系统，提供高效、紧凑的功率解决方案。