PBSS5350TVL 时间：2025/9/14 4:02:54 阅读：4

PBSS5350TVL 是由 Nexperia（安世半导体）推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，适用于中高功率应用。该器件采用紧凑的 SOT1220 封装，具备良好的热性能和电流承载能力，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：35A
　　功耗（Ptot）：42W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT1220
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 8.5mΩ @ VGS = 10V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.5V ~ 2.8V

特性

PBSS5350TVL 具有优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用 Nexperia 的高性能 Trench 技术，确保了良好的热稳定性和高电流密度。SOT1220 封装具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。此外，该 MOSFET 内置栅极保护二极管，增强了器件的抗静电能力和可靠性。其坚固的结构设计和宽泛的工作温度范围，使其适用于汽车电子、工业自动化和消费类电源系统。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，支持逻辑电平驱动，适用于多种控制电路。同时，其快速开关特性降低了开关损耗，提高了系统响应速度。此外，PBSS5350TVL 具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在极端工况下的稳定性。

应用

PBSS5350TVL 广泛应用于各类电源管理系统中，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块。在工业控制方面，它适用于 PLC 输出模块、工业电源和电机控制电路。此外，该 MOSFET 还适用于高性能电源适配器、服务器电源和 UPS（不间断电源）系统。