PBSS5330PA 时间：2025/9/15 2:19:06 阅读：9

PBSS5330PA 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件专为高效率功率转换应用而设计，例如在电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等领域。PBSS5330PA 采用先进的 Trench MOS 工艺，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和优异的热性能。其封装形式为 SOT-223，适合表面贴装技术（SMT），便于在紧凑型电路板中使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：6A（在 Tmb = 25°C 下）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 40mΩ（在 Vgs = 10V 时）
　　功耗（Ptot）：1.8W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

PBSS5330PA 具备多项优异的电气和热性能。其采用先进的 Trench MOS 技术，使得导通电阻非常低，在 Vgs = 10V 时，Rds(on) 最大仅为 40mΩ，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件支持高达 6A 的连续漏极电流，适合中高功率应用。此外，PBSS5330PA 的热阻（Rth）较低，确保在高负载条件下仍能保持良好的散热性能。
　　其 SOT-223 封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的热管理能力，非常适合在空间受限的 PCB 设计中使用。该封装还支持表面贴装工艺，提高了制造效率和可靠性。PBSS5330PA 还具有出色的短路和过载保护能力，适用于各种工业和消费类电子产品。

应用

PBSS5330PA 适用于多种功率管理应用，包括同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源转换电路的理想选择，特别是在要求高可靠性和紧凑设计的场合。在工业自动化系统中，该器件可用于控制电机、继电器和传感器等负载。此外，它还可用于便携式电子设备中的电源管理模块，以延长电池续航时间。