时间：2025/9/14 19:17:16
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PBSS5230PAP是一款由Nexperia公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效、高速开关操作的应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性，适用于各种功率转换系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A（在25°C）
功耗(Pd)：100W
导通电阻(Rds(on))：3.2mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerSO-10
PBSS5230PAP的主要特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高效率。此外，该器件具有快速开关特性，使其适用于高频操作环境，如DC-DC转换器和电机控制应用。
其高雪崩能量能力确保在严苛条件下仍能保持稳定运行。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，可在高温环境下长时间工作而不影响性能。
该器件采用小型PowerSO-10封装，节省空间的同时提供良好的散热性能，非常适合对尺寸和性能都有要求的设计。其栅极驱动电压范围广泛，支持常见的10V至15V驱动电路，方便集成到各种系统中。
PBSS5230PAP常用于电源管理领域，例如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统和负载开关。此外，它还广泛应用于汽车电子、工业自动化、电机控制以及高性能电源供应器中。
由于其高可靠性和优异的热性能，该MOSFET也适用于需要长时间运行的高负载系统，如服务器电源、电信设备和储能系统。其小型封装也使其成为便携式设备和紧凑型电源模块的理想选择。
SiSS130DN-T1-GE3, IRF3710PBF, FDS4410AS
