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PBSS5160T,215 发布时间 时间:2025/9/15 1:05:23 查看 阅读:3

PBSS5160T,215 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件主要用于需要中功率开关和放大应用的电路中,具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性。这款晶体管采用SOT-223封装,适用于各种电子设备,如电源管理、电机控制、LED驱动以及工业自动化系统等。PBSS5160T,215 以其可靠性和高效能著称,广泛应用于工业和汽车电子领域。

参数

晶体管类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):100V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  电流增益(hFE):110-800(根据不同的工作电流)
  频率响应(fT):100MHz
  封装类型:SOT-223

特性

PBSS5160T,215 是一款性能优异的NPN型晶体管,其设计旨在满足中功率开关和放大应用的需求。首先,该晶体管的集电极-发射极电压(VCEO)为100V,使其能够在较高的电压环境下稳定工作。此外,最大集电极电流为100mA,允许该器件在小型功率应用中表现出色。晶体管的最大功耗为300mW,确保在连续工作时具有良好的热性能。
  在电流增益(hFE)方面,PBSS5160T,215 的典型值范围为110至800,具体取决于工作电流。这种宽泛的增益范围使其适用于多种放大电路,包括音频放大器和传感器信号调理电路。晶体管的频率响应(fT)为100MHz,表明其能够在高频应用中保持良好的性能,适合用于射频(RF)信号处理和高速开关电路。
  该晶体管采用SOT-223封装,这种封装形式具有良好的散热性能,并且体积小巧,便于在PCB上布局。SOT-223封装还具备较好的机械稳定性,适用于自动化生产和焊接工艺。此外,PBSS5160T,215 的设计符合AEC-Q101汽车电子标准,确保其在汽车应用中的可靠性和耐用性。
  在电气特性方面,该晶体管的集电极截止电流(ICBO)为100nA(最大值),发射极截止电流(IEBO)为100nA(最大值),这表明其在关闭状态下的漏电流非常小,有助于降低静态功耗。此外,该晶体管的基极-发射极电压(VBE)在额定电流下约为0.7V,适用于标准的逻辑电平驱动电路。

应用

PBSS5160T,215 广泛应用于多个电子领域。在工业控制方面,它常用于PLC(可编程逻辑控制器)中的信号放大和开关控制电路。在消费类电子产品中,该晶体管可用于LED驱动电路、小型电机控制以及音频放大器设计。此外,在汽车电子领域,PBSS5160T,215 适用于车载娱乐系统、照明控制模块以及传感器信号调理电路。由于其符合AEC-Q101标准,因此在汽车应用中具有良好的可靠性和长期稳定性。
  该晶体管也可用于电源管理电路,如DC-DC转换器和电池充电器,作为开关元件使用。在通信设备中,PBSS5160T,215 可用于射频信号放大和调制解调电路。此外,它还可以用于各种传感器接口电路,如温度传感器、压力传感器和加速度传感器的信号放大和处理。由于其封装小巧,PBSS5160T,215 也适用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的低功耗开关和放大电路。

替代型号

BC847, BC817, 2N3904

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PBSS5160T,215参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)160mV @ 1mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)150 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大270mW
  • 频率 - 转换220MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装带卷 (TR)