时间：2025/9/14 4:39:21
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PBSS5160PAPSX 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽技术，专为高效率和高性能功率管理应用而设计。该器件封装在无铅、符合 RoHS 标准的 LFPAK56（也称为 Power-SO8）封装中，具有出色的热性能和电流处理能力，适用于汽车电子、工业电源、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。PBSS5160PAPSX 提供了高可靠性、低导通电阻和高功率密度，是许多中高功率系统的理想选择。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：60 V
栅源电压 Vgs：±20 V
连续漏极电流 Id：160 A（在 Tmb = 25°C）
导通电阻 Rds(on)：最大 1.25 mΩ（在 Vgs = -10 V）
功率耗散 Ptot：130 W（在 Tmb = 25°C）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
PBSS5160PAPSX 采用先进的沟槽 MOSFET 技术，具备非常低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其最大 Rds(on) 仅为 1.25 mΩ，在 -10V 的栅极驱动电压下可实现优异的性能表现。这种低导通电阻特性使其非常适合用于高电流应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理系统。
该 MOSFET 的 LFPAK56 封装具有出色的热管理性能，能够有效地将热量从芯片传导到 PCB，从而提升整体系统的可靠性和耐用性。与传统 TO-220 或 DPAK 封装相比，LFPAK56 提供了更小的占位面积和更高的功率密度，同时支持双面散热，非常适合空间受限和高密度 PCB 设计。
PBSS5160PAPSX 支持高达 160A 的连续漏极电流，在 Tmb = 25°C 条件下可提供非常强劲的电流承载能力，适用于高功率负载切换和电源分配应用。其 ±20V 的栅极电压容限提高了抗噪声能力，使器件在高频开关应用中具有更好的稳定性。
此外，该器件具有宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适合在严苛的工业和汽车环境中使用。它符合 AEC-Q101 汽车电子标准，因此非常适合用于汽车电子系统中的功率管理，例如车身控制模块、电动助力转向系统、车载充电器等。
该器件还具有出色的短路耐受能力和抗雪崩能力，增强了在极端条件下的可靠性。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统的能效，特别适合用于同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）和高侧开关等应用场景。
PBSS5160PAPSX 广泛应用于汽车电子、工业电源、DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源分配系统、服务器和电信设备的功率管理电路。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效能、高可靠性系统的理想选择。
SiPMOS5160P, IPB016N06N, STD160P6F7AG, FDBL0160P06A
