您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PBSS5130T

PBSS5130T 发布时间 时间:2025/6/11 21:00:09 查看 阅读:5

PBSS5130T 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的超快恢复整流器。该器件采用 TO-252 封装,具有低正向压降和快速反向恢复时间的特性,适用于开关电源、逆变器、电机驱动等应用中需要高效能整流的场景。
  这款二极管设计用于处理高频和高效率要求的应用场合,其快速恢复特性有助于减少开关损耗,同时保持较低的正向电压以提高整体系统效率。

参数

最大 repetitive peak reverse voltage:100V
  最大 average rectified output current:3.0A
  典型 forward voltage at 3.0A:1.1V
  反向恢复时间 trr:40ns
  工作结温范围:-55℃ to +175℃

特性

PBSS5130T 的主要特点是其超快的反向恢复时间仅为 40 纳秒,这使其非常适合高频应用环境。此外,它还具备相对较低的正向压降,在大电流条件下能够有效降低功率损耗,从而提升系统的整体效率。
  此器件具有出色的热稳定性,能够在 -55°C 到 +175°C 的宽温度范围内正常工作,适合在恶劣环境下使用。并且它的封装形式 TO-252(DPAK)提供了良好的散热性能以及易于安装的特点。

应用

PBSS5130T 广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于开关模式电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、不间断电源(UPS)、电池充电器以及工业控制中的电机驱动电路。
  在这些应用场景下,该器件凭借其快速恢复特性和低功耗优势,为设计人员提供了一个可靠且高效的解决方案。

替代型号

MBR30100CT, SB3100

PBSS5130T推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PBSS5130T资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

PBSS5130T参数

  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.4mm
  • 封装类型TO-236AB
  • 尺寸1 x 3 x 1.4mm
  • 引脚数目3
  • 晶体管类型PNP
  • 最低工作温度-65 °C
  • 最大功率耗散480 mW
  • 最大发射极-基极电压5 V
  • 最大直流集电极电流1 A
  • 最大集电极-发射极电压30 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压0.225 V
  • 最大集电极-基极电压30 V
  • 最小直流电流增益201 V
  • 最高工作温度+150 °C
  • 最高工作频率200 MHz
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别双极小信号
  • 配置
  • 长度3mm
  • 高度1mm