PBSS4520X,135 是由Nexperia(原恩智浦半导体的一部分)制造的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TrenchMOS技术,适用于高效率电源管理应用。
类型:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
沟道类型:N沟道
最大漏极电流(ID):10A
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):20V
导通电阻(RDS(on)):0.025Ω(典型值,VGS=10V)
功耗(Ptot):40W
封装类型:TO-252(DPAK)
安装类型:表面贴装
PBSS4520X,135具有低导通电阻(RDS(on)),这使得在高电流应用中功率损耗最小化,提高了系统的整体效率。
该器件采用先进的TrenchMOS技术,提供更高的性能和可靠性,同时保持较小的封装尺寸。
其最大漏极电流为10A,最大漏源电压为30V,适用于多种电源管理场合。
此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,能够在较高温度环境下正常工作,确保系统的稳定性。
器件的栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至20V的栅源电压,便于与多种控制电路兼容。
封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装工艺,提高了组装效率和可靠性。
PBSS4520X,135广泛应用于各种电源管理系统,如DC-DC转换器、负载开关、电池充电器和电源管理模块。
由于其低导通电阻和高电流能力,该器件特别适用于需要高效率和低功耗设计的场合。
在汽车电子系统中,它可用于车载电源管理、LED照明驱动和电动机控制等应用。
此外,该MOSFET还可用于工业自动化设备、消费类电子产品和通信设备中的功率开关电路。
其良好的热性能和可靠性使其在高温环境下也能稳定运行,适用于严苛的工作条件。
IPD90N03S4-03, FDPF6N60, IRFZ44N