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PBSS4520X,135 发布时间 时间:2025/9/14 9:47:27 查看 阅读:30

PBSS4520X,135 是由Nexperia(原恩智浦半导体的一部分)制造的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TrenchMOS技术,适用于高效率电源管理应用。

参数

类型:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
  沟道类型:N沟道
  最大漏极电流(ID):10A
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):20V
  导通电阻(RDS(on)):0.025Ω(典型值,VGS=10V)
  功耗(Ptot):40W
  封装类型:TO-252(DPAK)
  安装类型:表面贴装

特性

PBSS4520X,135具有低导通电阻(RDS(on)),这使得在高电流应用中功率损耗最小化,提高了系统的整体效率。
  该器件采用先进的TrenchMOS技术,提供更高的性能和可靠性,同时保持较小的封装尺寸。
  其最大漏极电流为10A,最大漏源电压为30V,适用于多种电源管理场合。
  此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,能够在较高温度环境下正常工作,确保系统的稳定性。
  器件的栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至20V的栅源电压,便于与多种控制电路兼容。
  封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装工艺,提高了组装效率和可靠性。

应用

PBSS4520X,135广泛应用于各种电源管理系统,如DC-DC转换器、负载开关、电池充电器和电源管理模块。
  由于其低导通电阻和高电流能力,该器件特别适用于需要高效率和低功耗设计的场合。
  在汽车电子系统中,它可用于车载电源管理、LED照明驱动和电动机控制等应用。
  此外,该MOSFET还可用于工业自动化设备、消费类电子产品和通信设备中的功率开关电路。
  其良好的热性能和可靠性使其在高温环境下也能稳定运行,适用于严苛的工作条件。

替代型号

IPD90N03S4-03, FDPF6N60, IRFZ44N

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PBSS4520X,135参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)270mV @ 500mA,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)250 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大1.6W
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装带卷 (TR)