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PBSS4320T,215 发布时间 时间:2025/9/14 23:34:26 查看 阅读:12

PBSS4320T,215 是一款由Nexperia(原恩智浦半导体分立器件部门)生产的高性能双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件设计用于高电流开关应用,具有低饱和电压(VCE(sat))和高增益(hFE)特性,使其非常适合用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电机控制等应用。PBSS4320T采用小型DFN2020封装,具有良好的热性能和空间效率,适合高密度PCB设计。

参数

类型:NPN双极型晶体管
  最大集电极电流(IC):500 mA
  最大集电极-发射极电压(VCE):30 V
  最大集电极-基极电压(VCB):30 V
  最大发射极-基极电压(VEB):5 V
  最大功耗(Ptot):300 mW
  最大工作温度:150 °C
  增益(hFE):110-800(取决于测试条件)
  饱和电压(VCE(sat)):最大200 mV(在IC=300 mA时)
  封装类型:DFN2020

特性

PBSS4320T,215 的一大亮点是其极低的饱和电压(VCE(sat)),这使得在导通状态下功率损耗显著降低,提高了系统的能效。此外,该晶体管具有宽范围的电流增益(hFE),在不同工作条件下都能保持稳定的放大性能。其DFN2020封装不仅节省空间,还具备良好的热传导性能,有助于在高电流工作时快速散热,提高器件的可靠性和寿命。PBSS4320T还具有快速开关能力,适用于高频开关应用。
  该晶体管的基极-发射极电压(VEB)额定值为5 V,设计时需注意避免过高的反向电压导致器件损坏。其最大集电极电流可达500 mA,适用于中等功率的开关控制。同时,集电极-发射极电压(VCE)和集电极-基极电压(VCB)均支持高达30 V,使其适用于多种电源拓扑结构。
  另外,PBSS4320T的封装设计符合RoHS标准,无铅且环保,适用于现代电子制造中的环保要求。

应用

PBSS4320T,215 主要用于需要高效能、低功耗的电子系统中,典型应用包括DC-DC转换器中的开关元件、LED驱动电路、电机控制电路、继电器驱动、负载开关、电池管理系统以及工业自动化控制设备。由于其低饱和电压和高电流能力,特别适用于便携式设备和电源管理系统中,以提高整体能效并延长电池寿命。
  此外,该晶体管也广泛应用于汽车电子系统中,如车载充电系统、车身控制模块、车载娱乐系统等,其高可靠性和优良的热性能能够满足汽车环境下的严苛要求。在工业控制领域,PBSS4320T可用于PLC(可编程逻辑控制器)中的信号切换和功率控制,提高系统的稳定性和响应速度。

替代型号

BCX56-10,213; MMBT3904LT1G; 2N3904; PBSS4040T,215

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PBSS4320T,215参数

  • 产品培训模块BISS Transistors
  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)70mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)220 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大480mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称PBSS4320T215-CHP