时间：2025/9/14 17:04:07
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PBSS4260QAZ是一款由Nexperia（原飞利浦半导体）生产的双极型晶体管（BJT）阵列器件，主要由两个NPN晶体管组成，适用于多种通用和高性能开关与放大应用。该器件采用先进的InPQFN封装技术，具有高可靠性和优异的热性能。该晶体管阵列特别适合用于汽车电子、工业控制、电源管理和通信设备等对性能和可靠性要求较高的应用领域。
晶体管类型：双极型晶体管（NPN）
配置：双晶体管（2个独立NPN晶体管）
最大集电极-发射极电压（Vceo）：60V
最大集电极电流（Ic）：100mA（每个晶体管）
最大功耗（Ptot）：300mW
增益带宽积（fT）：100MHz（典型值）
电流增益（hFE）：110至800（根据工作电流不同）
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：InPQFN（4引脚）
PBSS4260QAZ采用了Nexperia的先进InPQFN封装技术，使得该器件在保持小型化的同时具备出色的热管理和电气性能。每个晶体管都具有高击穿电压（60V Vceo），确保其在高压环境下仍能稳定工作。其电流增益范围宽广（hFE在110至800之间），使得该器件适用于多种放大和开关电路设计。此外，该晶体管的增益带宽积（fT）高达100MHz，支持高频应用，如射频放大器和高速开关电路。
该器件具有极低的饱和压降（VCE(sat)），确保在开关应用中具有更高的能效。其双晶体管结构允许两个独立的NPN晶体管并联使用以提高电流容量，或作为达林顿对管以提升增益。InPQFN封装不仅减小了PCB占用空间，还提高了器件在高振动环境中的机械稳定性，使其特别适用于汽车和工业应用。
PBSS4260QAZ还具备出色的ESD（静电放电）抗扰能力，能够承受高达2kV的人体模型（HBM）静电放电，从而提高了在恶劣环境中的可靠性。该器件符合RoHS标准，无铅且绿色环保，适用于自动化装配工艺。
PBSS4260QAZ广泛应用于汽车电子系统，如车身控制模块、LED照明驱动和传感器接口电路。它也常用于工业自动化设备中的继电器驱动、信号放大和逻辑电平转换。在通信设备中，该晶体管可用于射频信号放大、数据传输接口电路和电源管理模块。此外，由于其高频响应能力，PBSS4260QAZ还可用于音频放大器、DC-DC转换器和脉宽调制（PWM）控制电路。在消费类电子产品中，如智能家电、可穿戴设备和物联网（IoT）设备中也有广泛应用。
BC847BDS, 2N3904, BC547B, MMBT3904
