PBSS4240Y,115 时间：2025/9/14 8:59:42 阅读：10

PBSS4240Y,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench MOS 工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力，适用于需要高效功率管理的多种应用。其封装形式为 SOT457（也称为 TSOP6），具有较小的封装体积，适合在空间受限的设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：40V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：4.8A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻(RDS(on))：最大 24mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散(Pd)：1.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT457（TSOP6）

特性

PBSS4240Y,115 的主要特性包括其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。由于采用 Trench MOS 技术，该器件在高频开关应用中表现出色，能够支持快速的开关速度。其 SOT457 封装形式不仅体积小巧，还具备良好的热性能，有助于在高电流条件下维持稳定的工作温度。
　　此外，该 MOSFET具有较高的栅极雪崩能量耐受能力，增强了器件在恶劣工作环境下的可靠性和耐用性。它在过热保护和电流限制方面也表现出色，适用于各种电源管理和负载开关应用。
　　该器件的引脚排列设计便于 PCB 布局，同时确保了良好的电气性能和机械稳定性。其高集成度和优异的性能使其成为众多功率电子设备的理想选择。

应用

PBSS4240Y,115 主要应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动、电源管理模块以及各种便携式电子设备中的功率控制部分。由于其高频开关能力和低导通电阻，特别适用于需要高效能和高可靠性的电源设计中。此外，该器件也常用于 LED 照明驱动电路、充电器电路和工业自动化控制系统的功率部分。
　　在汽车电子领域，PBSS4240Y,115 也可用于车身控制模块、车载娱乐系统和电池供电系统中的功率开关应用。其优异的热稳定性和小型化封装使其在空间受限和高可靠性要求的应用中表现优异。