时间：2025/9/14 14:04:25
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PBSS4160V,115 是由Nexperia（原飞利浦半导体业务分拆而来）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用Trench MOSFET技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于中高功率应用。该器件采用DFN2020-6（SOT1223）封装形式，具备良好的热管理和小型化设计，适合用于需要高效率和紧凑布局的电源管理系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4.3A（在25℃）
导通电阻(Rds(on))：最大值90mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：1.5W
工作温度范围：-55℃～150℃
封装形式：DFN2020-6（SOT1223）
PBSS4160V,115 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得它在导通状态下的功率损耗更低，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具有较高的栅极电压容限（±20V），可在更宽的控制电压范围内稳定工作，减少了因过压导致的损坏风险。
该器件采用了先进的Trench MOSFET工艺，优化了导通和开关性能之间的平衡，使得它在高频开关应用中表现出色。此外，DFN2020-6封装提供了优异的热性能，有助于在高电流条件下维持较低的温度上升，从而提高器件的可靠性和寿命。
另一个显著特性是其小型化设计，适用于空间受限的应用场景。SOT1223封装不仅节省PCB空间，还支持自动贴片工艺，提高了生产效率。
PBSS4160V,115 广泛应用于各种电子设备中的电源管理和负载切换电路。例如，它可用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电源保护电路以及电机控制模块。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和便携式充电设备中，该器件常用于高效能电源管理模块。
工业自动化设备中，该MOSFET可用于控制执行器、继电器和传感器的供电。此外，在汽车电子系统中，PBSS4160V,115 可用于车身控制模块、车载充电器和车载信息娱乐系统中的电源开关应用。
由于其优异的热性能和小型化封装，该器件也非常适合用于高密度PCB设计和需要高效能散热的应用场景。
SI2302DS-T1-GE3, FDN340P, AO3400A, BSS138K
