时间：2025/9/14 18:44:34
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PBSS4140U,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 LFPAK56（也称为 Power-SO8）封装。该器件专为高效率功率开关应用设计，具备低导通电阻、高电流能力和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：40V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：140A（在 Vgs=10V 时）
导通电阻 Rds(on)：最大 2.2mΩ（在 Vgs=10V 时）
封装形式：LFPAK56（双侧散热）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
PBSS4140U,115 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），典型值为 2.2mΩ，这使得在大电流条件下导通损耗极低，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件采用 LFPAK56 封装，这是一种无引脚的双侧散热封装技术，能够显著提升热性能，确保在高功率应用中保持良好的散热能力。
另一个显著特点是其高电流承载能力，额定连续漏极电流可达 140A，在同步整流、DC-DC 转换器和电机驱动等应用中表现出色。此外，该 MOSFET 具有良好的栅极稳定性，支持 ±20V 的最大栅源电压，增强了在高电压开关环境中的可靠性。
该器件的封装设计还支持高密度 PCB 布局，LFPAK56 封装不仅节省空间，还具有优异的机械稳定性和可焊性，适合自动化生产和回流焊工艺。由于其优异的热性能和电气特性，PBSS4140U,115 非常适合用于高效率电源转换系统，如服务器电源、通信设备电源、电池管理系统和车载电子系统。
PBSS4140U,115 广泛应用于多个高功率密度和高效率需求的电力电子系统中。典型应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子中的功率控制模块。
在服务器和通信电源系统中，该 MOSFET 可作为主开关或同步整流开关使用，以提高整体电源转换效率并降低热量损耗。在电池管理系统中，PBSS4140U,115 可用于充放电控制电路，确保电池组在安全范围内工作。
在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器以及电机控制系统中，满足汽车应用对高可靠性和高热稳定性的要求。此外，该 MOSFET 也适用于工业自动化设备中的高电流开关应用，如 PLC 控制模块和伺服驱动器。
SiSS140DN, Infineon BSC140N15LS5AG, ON Semiconductor NVTFS5C414NL, STMicroelectronics STP140N4F7AG
