时间：2025/9/15 0:15:51
阅读：13
PBSS4130PAN是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力。这款MOSFET广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等领域。其封装形式为DFN2020-6（SOT1118），尺寸紧凑，适合高密度PCB设计。
类型：N沟道
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：10A（在25°C）
导通电阻(RDS(on))：最大值3.3mΩ（在VGS=10V时）
功耗(PD)：3.8W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：DFN2020-6（SOT1118）
PBSS4130PAN的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得该MOSFET在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在VGS=10V时的RDS(on)最大值仅为3.3mΩ，非常适合用于高频率开关应用。此外，该MOSFET具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作。
该器件的另一个重要特性是其高电流承载能力。PBSS4130PAN在25°C环境温度下可承载连续漏极电流达10A，适合用于需要高功率密度的电源系统。此外，其最大漏源击穿电压为30V，适用于中低电压功率转换应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。
封装方面，PBSS4130PAN采用DFN2020-6（SOT1118）封装，具有小尺寸和良好的散热性能，适用于空间受限的便携式电子设备。该封装也支持自动贴片工艺，提高了生产效率。
PBSS4130PAN适用于多种功率电子系统，包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）、工业自动化设备和汽车电子系统。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于同步整流器、高效率降压或升压变换器中的开关元件。
在电源管理系统中，PBSS4130PAN可用于高效能的负载开关，以控制不同模块的电源供应，减少待机功耗。在电池管理系统中，该MOSFET可用于充放电控制电路，确保电池组的安全运行。此外，其高可靠性和良好的热性能使其适用于车载电源系统和工业控制应用。
SiSS130DN, AO4436, IPB013N03L
